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熔斷器(fuse)是指當(dāng)電流超過規(guī)定值時(shí),以本身產(chǎn)生的熱量使熔體熔斷,斷開電路的一種電器。熔斷器是根據(jù)電流超過規(guī)定值一段時(shí)間后,以其自身產(chǎn)生的熱量使熔體熔化,從而使電路斷開;運(yùn)用這種原理制成的一種電流保護(hù)器。熔斷器廣泛應(yīng)用于高低壓配電系統(tǒng)和控制系統(tǒng)以及用電設(shè)備中,作為短路和過電流的保護(hù)器,是應(yīng)用最普遍的保護(hù)器件之一。熔斷器常見種類插入式熔斷器:它常用于380V及以下電壓等級的線路末端,作為配電支線
在現(xiàn)代工業(yè)與能源應(yīng)用領(lǐng)域,電力電子技術(shù)正發(fā)揮著日益關(guān)鍵的作用。其中,可控硅模塊作為一種高度集成的功率半導(dǎo)體器件,憑借其出色的性能和靈活的操控能力,成為眾多行業(yè)電能轉(zhuǎn)換與控制的核心組件。本文將深入探討可控硅模塊的基本原理、主要優(yōu)勢以及其廣泛的應(yīng)用場景,幫助讀者全面理解這一技術(shù)在現(xiàn)代電力系統(tǒng)中的重要地位??煽毓枘K是一種將多個(gè)可控硅芯片及相關(guān)電路集成于一體的模塊化產(chǎn)品。它通過精密的封裝技術(shù),將多個(gè)功率
# IGBT模塊技術(shù)的演進(jìn)與未來趨勢## IGBT技術(shù)發(fā)展歷程IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)模塊技術(shù)自問世以來經(jīng)歷了多次重大革新。早期產(chǎn)品采用平面柵結(jié)構(gòu),開關(guān)速度相對較慢,導(dǎo)通損耗較高。隨著工藝進(jìn)步,溝槽柵技術(shù)應(yīng)運(yùn)而生,顯著降低了導(dǎo)通壓降,提高了開關(guān)頻率。第三代IGBT引入場終止技術(shù),使芯片厚度大幅減小,同時(shí)保持了良好的阻斷電壓能力。近年來出現(xiàn)的第七代IGBT模塊在功率密度方面取得突破,單位面積電
1、快恢復(fù)二極管模塊快恢復(fù)二極管是一種能快速從通態(tài)轉(zhuǎn)變到關(guān)態(tài)的特殊晶體器件。導(dǎo)通時(shí)相當(dāng)于開關(guān)閉合(電路接通),截止時(shí)相當(dāng)于開關(guān)打開(電路切斷)。特性是開關(guān)速度快,快恢復(fù)二極管能夠在導(dǎo)通和截止之間快速轉(zhuǎn)化提高器件的使用頻率和改善波形。快恢復(fù)二極管模塊分400V快恢復(fù)二極管模塊,600V快恢復(fù)二極管模塊,1200V快恢復(fù)二極管模塊等。2、肖特基二極管模塊肖特基二極管A為正極,以N型半導(dǎo)體B為負(fù)極利用二
公司名: 昆山奇沃電子有限公司
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電 話: 0512-50111678
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地 址: 江蘇蘇州昆山市昆山市玉山鎮(zhèn)富士康路932號
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