EUPEC可控硅模塊

時(shí)間：2025-05-21作者：昆山奇沃電子有限公司瀏覽：54

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• 詞條

  詞條說(shuō)明

• 【英飛凌IGBT銷售】IGBT結(jié)構(gòu)

  一個(gè)N溝道增強(qiáng)型絕緣柵雙極晶體管結(jié)構(gòu)， N+區(qū)稱為源區(qū)，附于其上的電極稱為源極（即發(fā)射極E）。N基極稱為漏區(qū)。器件的控制區(qū)為柵區(qū)，附于其上的電極稱為柵極（即門極G）。溝道在緊靠柵區(qū)邊界形成。在C、E兩極之間的P型區(qū)（包括P+和P-區(qū)）（溝道在該區(qū)域形成），稱為亞溝道區(qū)（Subchannel region）。而在漏區(qū)另一側(cè)的P+區(qū)稱為漏注入?yún)^(qū)（Drain injector），它是IGBT特有的功能區(qū)

• 熔斷器的工作原理

  熔斷器俗稱保險(xiǎn)絲,,它是一種安裝在電路中,保證電路安全運(yùn)行的電器元件。熔斷器其實(shí)就是一種過(guò)電流保護(hù)器。熔斷器的工作原理是:電流超過(guò)規(guī)定值一段時(shí)間后,熔斷器以自身產(chǎn)生的熱量使熔體熔化,從而使電路斷開(kāi)。在配電系統(tǒng)和控制系統(tǒng)及用電設(shè)備中,熔斷器作為短路和嚴(yán)重過(guò)電流的保護(hù)器,是應(yīng)用最普遍的保護(hù)器件之一。熔斷器具有反延時(shí)特性,即過(guò)載電流小時(shí),熔斷時(shí)間長(zhǎng);過(guò)載電流大時(shí),熔斷時(shí)間短。所以,在一定過(guò)載電流范圍內(nèi),

• 鹽城進(jìn)口吸收電容產(chǎn)品用途

  鹽城進(jìn)口吸收電容產(chǎn)品用途 在現(xiàn)代電子設(shè)備和電力系統(tǒng)中，進(jìn)口吸收電容作為關(guān)鍵電子元件，廣泛應(yīng)用于電力電子、工業(yè)控制、新能源及高端消費(fèi)電子等領(lǐng)域。其核心功能在于吸收電路中的瞬態(tài)能量，抑制電壓尖峰，保護(hù)敏感元器件免受損壞，同時(shí)降低電磁干擾（EMI），提高系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。 進(jìn)口吸收電容的核心作用 進(jìn)口吸收電容主要用于吸收電路中因開(kāi)關(guān)動(dòng)作、電感儲(chǔ)能釋放等產(chǎn)生的瞬態(tài)過(guò)電壓。在電力電子設(shè)備中，如變頻器、逆

• 【進(jìn)口吸收電容】吸收電容作用

  吸收電容在電路中起的作用類似于低通濾波器，可以吸收掉尖峰電壓。通常用在有絕緣柵雙極型晶體管（IGBT），消除由于母排的雜散電感引起的尖峰電壓，避免絕緣柵雙極型晶體管的損壞。母線電感以及緩沖電路及其元件內(nèi)部的雜散電感，對(duì)IGBT 電路尤其是大功率IGBT 電路，有極大的影響。因此，希望它愈小愈好。要減小這些電感，需從多方面入手。第一，直流母線要盡量地短；第二，緩沖電路要盡可能地貼近模塊；第三，選用