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MOS管并聯(lián)均流技術分析 IGBT管并聯(lián)均流技術分析
MOS管并聯(lián)均流技術分析 IGBT管并聯(lián)均流技術分析 BJT?管并聯(lián)均流技術分析 ? ? 普通的功率MOSFET因為內(nèi)阻低、耐壓高、電流大、驅動簡易等優(yōu)良特性而得到了廣泛應用。當單個MOSFET的電流或耗散功率不滿足設計的需求時就遇到了并聯(lián)mos管的問題。并聯(lián)mos管的兩大問題,其一就是mos管的選型,其二就是mos管參數(shù)的篩選。 首先我們測試從某網(wǎng)店購買的IRF4
首創(chuàng):5kHz電光調(diào)Q電源增加壓電振鈴效應抑制功能!
**:5kHz電光調(diào)Q電源增加壓電振鈴效應抑制功能! 電光調(diào)Q開關是利用晶體的電光效應制成的Q開關。電光調(diào)Q開關的開關速度快、器件的效率高等優(yōu)點!但是正是由于較高的開關速度,在調(diào)Q器件兩端都會形成壓電振鈴效應,這一效應增大了調(diào)Q開關的熱損耗。 ? 壓電振鈴效應:調(diào)Q驅動器通過導線和晶體連接,連接導線等效為一個諧振電感L,晶體等效為一個諧振電容C,如圖1所示;電光調(diào)Q過程是一個高壓窄脈沖過程,高壓脈
毫歐電阻的溫度影響精度測試分析 取樣電阻的溫度影響精度測試分析 分流器的精確測試分析 ? 分流器是測量直流電流用的,根據(jù)直流電流通過阻值很小的電阻時在電阻兩端產(chǎn)生電壓的原理制成。 在實際應用中,要測量一個很大的電流值,沒有大量程的電流表測量其電流,分流器就可以產(chǎn)生作用了。分流器兩端產(chǎn)生毫伏級直流電壓信號,使并接在該分流器兩端的計量表顯示電壓值,分流器的電阻時定值,通過計算得到實際測量的
MJL4302A測試記錄 測試目的:測試MJL4302A的合格率 測試項目: 1.測試Vceo集電極**較反向擊穿電壓 2.測試正向飽和壓降 測試工具: 20KV高精度測試**穩(wěn)壓可調(diào)電源、三極管MJL4302A、DF-80A 測試具體方法: 1.測試Vceo集電極**較反向擊穿電壓 用20KV高精度測試**穩(wěn)壓可調(diào)電源的高壓輸出端測試三極管MJL4302A的Vceo,具體連線圖如下(下文的20K
公司名: 長春艾克思科技有限責任公司
聯(lián)系人: 劉經(jīng)理
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