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【前言】金剛石是自然界已發(fā)現(xiàn)的具有較高的硬度、強(qiáng)度、耐磨性材料,金剛石具有的熱導(dǎo)率、透過波段、聲速以及半導(dǎo)體特性和化學(xué)惰性等綜合性能使其成為當(dāng)今世界上較優(yōu)秀的*材料。上世紀(jì)80年代初期通過化學(xué)低壓氣相沉積生成金剛石薄膜(CVD)技術(shù)**突破性進(jìn)展,經(jīng)過多年的研究發(fā)展,CVD金剛石生長技術(shù)已日漸成熟。目前已有四種形態(tài)的CVD金剛石產(chǎn)品進(jìn)入市場,它們是:1)純多晶金剛石厚片 2)涂層金剛石;3)大
真空鍍膜技術(shù)作為一種產(chǎn)生特膜層的技術(shù),在現(xiàn)實(shí)生產(chǎn)生活中有著廣泛的應(yīng)用。真空鍍膜技術(shù)有三種形式:即蒸發(fā)鍍膜、濺射鍍膜和離子鍍膜。在這里主要講下磁控濺射鍍膜。磁控濺射技術(shù)在市場中應(yīng)用非常的廣泛,各行各業(yè)物件膜層鍍膜,大多數(shù)都是采用磁控濺射技術(shù),磁控濺射技術(shù)在真空行業(yè)也是非常的受歡迎和追捧。高真空磁控濺射鍍膜是屬于物理氣相沉積(Physical Vapor Deposition,PVD)的一種,一般的濺
化學(xué)氣相沉積設(shè)備(CVD)-小型管式LPCVD設(shè)備
LPECVD是在低壓高溫的條件下,通過化學(xué)反應(yīng)氣相外延的方法在襯底上沉積各種功能薄膜(主要是Si3N4、SiO2及Poly硅薄膜)??捎糜诳茖W(xué)研究、實(shí)踐教學(xué)、小型器件制造。小型管式LPCVD設(shè)備設(shè)備結(jié)構(gòu)及特點(diǎn)1、小型化,方便實(shí)驗(yàn)室操作和使用,大幅降低實(shí)驗(yàn)成本兩種基片尺寸2英寸或4英寸;每次裝片1~3片。基片放置方式:配置三種基片托架,豎直、水平臥式、帶傾角。基片形狀類型:不規(guī)則形狀的散片、φ2~4
為您提供高性價(jià)比真空鍍膜設(shè)備解決方案《520愛情風(fēng)暴來襲》
真空鍍膜設(shè)備的薄膜制作過程,簡單來說就是將一種材料(薄膜材料)轉(zhuǎn)移到另一種材料(基底)的表面,形成和基底牢固結(jié)合的薄膜的過程。所以,任何的真空鍍膜薄膜制作方法都包括:源蒸發(fā)、遷移和凝聚三個重要環(huán)節(jié)。多功能磁控濺射儀一、鍍膜蒸發(fā)源“源"的作用是提供鍍膜的材料(或被鍍材料中的某種組分)。通過物理或化學(xué)的方法使鍍膜材料成為氣態(tài)物質(zhì)。熱絲CVD金剛石設(shè)備二、遷移過程遷移過程都是在氣相中進(jìn)行的,在氣態(tài)物質(zhì)遷
公司名: 鵬城半導(dǎo)體技術(shù)(深圳)有限公司
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供應(yīng) 鵬城半導(dǎo)體 小型 PC08 化學(xué)氣相沉積小型LPCVD設(shè)備

供應(yīng) 鵬城半導(dǎo)體 生產(chǎn)型 PC07 化學(xué)氣相沉積LPCVD設(shè)備

供應(yīng) 鵬城半導(dǎo)體 高真空 PC06 等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積PECVD

供應(yīng) 鵬城半導(dǎo)體 金剛石散熱晶圓片 襯底

供應(yīng) 鵬城半導(dǎo)體 生產(chǎn)型 TGV/TSV /TMV 高真空磁控濺射鍍膜機(jī)

供應(yīng) 鵬城半導(dǎo)體 生產(chǎn)型 高真空磁控濺射/離子輔助/多弧復(fù)合鍍膜機(jī)

生產(chǎn)型 高真空磁控濺射及離子輔助復(fù)合鍍膜機(jī)

供應(yīng) 鵬城半導(dǎo)體 高真空磁控濺射鍍膜機(jī)
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