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「喜訊」熱烈祝賀鵬城半導(dǎo)體榮獲4項(xiàng)軟件著作權(quán)專利證書
近日,鵬城半導(dǎo)體技術(shù)(深圳)有限公司(簡(jiǎn)稱:鵬城半導(dǎo)體)申請(qǐng)的《PVD薄膜沉積系統(tǒng)軟件 》、《高真空濺射系統(tǒng)軟件》、《電子束蒸鍍薄膜沉積系統(tǒng)軟件》、《微米晶、納米晶金剛石薄膜CVD沉積系統(tǒng)軟件》4項(xiàng)軟件著作權(quán)**通過(guò)審批,經(jīng)*人民共和國(guó)國(guó)家**考證,根據(jù)《*人民共和國(guó)計(jì)算機(jī)軟件保護(hù)條例》和《計(jì)算機(jī)軟件著作權(quán)登記辦法》的規(guī)定,鵬城半導(dǎo)體技術(shù)(深圳)有限公司被認(rèn)定這4項(xiàng)軟件的法定著作權(quán)人,從頒證
材料的輸運(yùn)采取了**純的氣路系統(tǒng),源的切換和輸入采用了多路組合閥進(jìn)氣技術(shù)。由于組合閥具有較小的死空間,使得源的殘留量非常少,有利于生長(zhǎng)具有陡峭界面的材料。采用壓差控制技術(shù)控制組合閥的旁路和主路之間的壓力,大大降低了源的壓力和濃度波動(dòng),有利于材料生長(zhǎng)的重復(fù)性和穩(wěn)定性。采用了管道鑲嵌式進(jìn)氣噴頭,使反應(yīng)源在襯底表面均勻混合并反應(yīng),大大降低了預(yù)反應(yīng)的發(fā)生。采用電阻式快速升降溫加熱爐。
鵬城半導(dǎo)體亮相第八屆國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇
一年一度行業(yè)盛會(huì),*八屆***三代半導(dǎo)體論壇(IFWS )&*十九屆中國(guó)**半導(dǎo)體照明論壇(SSLCHINA)于2023年2月7日-10日(7日?qǐng)?bào)到)在蘇州金雞湖凱賓斯基大酒店召開(kāi)。在這場(chǎng)被視為“***三代半導(dǎo)體行業(yè)*”的盛會(huì)上,由2014年諾貝爾物理獎(jiǎng)獲得者、日本工程院院士、美國(guó)工程院院士、中國(guó)工程院外籍院士、日本名古屋大學(xué)未來(lái)材料與系統(tǒng)研究所教授天野浩,美國(guó)工程院院士、美國(guó)國(guó)家發(fā)明
為您提供高性價(jià)比真空鍍膜設(shè)備解決方案《520愛(ài)情風(fēng)暴來(lái)襲》
真空鍍膜設(shè)備的薄膜制作過(guò)程,簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)就是將一種材料(薄膜材料)轉(zhuǎn)移到另一種材料(基底)的表面,形成和基底牢固結(jié)合的薄膜的過(guò)程。所以,任何的真空鍍膜薄膜制作方法都包括:源蒸發(fā)、遷移和凝聚三個(gè)重要環(huán)節(jié)。多功能磁控濺射儀一、鍍膜蒸發(fā)源“源"的作用是提供鍍膜的材料(或被鍍材料中的某種組分)。通過(guò)物理或化學(xué)的方法使鍍膜材料成為氣態(tài)物質(zhì)。熱絲CVD金剛石設(shè)備二、遷移過(guò)程遷移過(guò)程都是在氣相中進(jìn)行的,在氣態(tài)物質(zhì)遷
公司名: 鵬城半導(dǎo)體技術(shù)(深圳)有限公司
聯(lián)系人: 戴朝蘭
電 話:
手 機(jī): 13632750017
微 信: 13632750017
地 址: 廣東深圳南山區(qū)留仙大道3370號(hào)南山智園崇文園區(qū)3號(hào)樓304
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供應(yīng) 鵬城半導(dǎo)體 小型 PC08 化學(xué)氣相沉積小型LPCVD設(shè)備
供應(yīng) 鵬城半導(dǎo)體 生產(chǎn)型 PC07 化學(xué)氣相沉積LPCVD設(shè)備
供應(yīng) 鵬城半導(dǎo)體 高真空 PC06 等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積PECVD
供應(yīng) 鵬城半導(dǎo)體 金剛石散熱晶圓片 襯底
供應(yīng) 鵬城半導(dǎo)體 生產(chǎn)型 TGV/TSV /TMV 高真空磁控濺射鍍膜機(jī)
供應(yīng) 鵬城半導(dǎo)體 生產(chǎn)型 高真空磁控濺射/離子輔助/多弧復(fù)合鍍膜機(jī)
生產(chǎn)型 高真空磁控濺射及離子輔助復(fù)合鍍膜機(jī)
供應(yīng) 鵬城半導(dǎo)體 高真空磁控濺射鍍膜機(jī)
公司名: 鵬城半導(dǎo)體技術(shù)(深圳)有限公司
聯(lián)系人: 戴朝蘭
手 機(jī): 13632750017
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