氦質(zhì)譜檢漏儀 MPCVD 檢漏, 實(shí)現(xiàn)金剛石膜制備

時(shí)間：2023-04-12作者：伯東企業(yè)（上海）有限公司瀏覽：123

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• 美國(guó) KRi 霍爾離子源輔助鍍膜 IBAD 應(yīng)用

  上海伯東美國(guó)?KRi 霍爾離子源?EH 系列, 提供高電流低能量寬束型離子束, KRi?霍爾離子源可以以納米精度來處理薄膜及表面, 多種型號(hào)滿足科研及工業(yè), 半導(dǎo)體應(yīng)用.?霍爾離子源高電流提高鍍膜沉積速率, 低能量減少離子轟擊損傷表面, 寬束設(shè)計(jì)提高吞吐量和覆蓋沉積區(qū). 整體易操作, 易維護(hù), 安裝于各類真空設(shè)備中, 例如 e-beam 電子束鍍膜機(jī), lo

• KRI 離子源用于UVC人機(jī)共存紫外濾光片鍍膜

  ? ?? ?紫外濾光片是一種光學(xué)元件, 通過使用分散在玻璃材料表面的光學(xué)薄膜控制入射光通過膜層后不同波長(zhǎng)光的透反比. 222nm是紫外不可避免的一個(gè)波段, 因?yàn)槠渖矬w透過率低, 被譽(yù)為對(duì)人體的紫外線.222nm遠(yuǎn)紫外產(chǎn)品一定程度上解決了傳統(tǒng)紫外線不能直接照射人體的痛點(diǎn)問題, 兼顧了功能性和性, 實(shí)現(xiàn)了人機(jī)友好共存, 有效減少和滅殺身體表面多達(dá)99.9%的細(xì)

• 上海伯東KRI離子源在半導(dǎo)體材料中的預(yù)清洗及刻蝕應(yīng)用

  半導(dǎo)體材料（semiconductor material）是一類具有半導(dǎo)體性能（導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體與絕緣體之間，電阻率約在1mΩ·cm～1GΩ·cm范圍內(nèi)）、可用來制作半導(dǎo)體器件和集成電路的電子材料。二氧化硅是制造玻璃、石英玻璃、水玻璃、光導(dǎo)纖維、電子工業(yè)的重要部件、光學(xué)儀器、工藝品和耐火材料的原料，是科學(xué)研究的重要材料。?本文主要介紹上海伯東KRI離子源在半導(dǎo)體材料SiO2中的預(yù)清洗及刻

• KRI 離子源應(yīng)用于車載AR-HUD 鍍膜

  ?HUD?已經(jīng)成為一種常見的汽車配置與功能,?通過它來直觀顯示速度、發(fā)動(dòng)機(jī)轉(zhuǎn)速或其他懸停在駕駛員視野中的信息,?減少因低頭查看儀表盤而造成的分心,?提升駕駛.?目前量產(chǎn)的車用抬頭顯示?HUD?正在從風(fēng)擋型?W-HUD?逐漸向增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)型的?AR-HUD?發(fā)展：從單純的信息展示屏幕,