上海伯東KRI離子源在半導(dǎo)體材料中的預(yù)清洗及刻蝕應(yīng)用

時間：2024-01-12作者：伯東企業(yè)（上海）有限公司瀏覽：67

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• KRI 考夫曼射頻離子源濺射沉積立方氮化硼薄膜

  立方氮化硼（cBN）由于具有高的硬度/ 好的化學(xué)惰性/ 較好的熱穩(wěn)定性/ 高的熱導(dǎo)率/ 在寬波長范圍內(nèi)(約從 200nm 開始) 有很好的透光性/ 可摻雜為 n 型和 p 型半導(dǎo)體等特點, 在切削工具/ 材料/ 光學(xué)元件表面涂層/ 高溫/ 高頻/ 大功率/ 抗輻射電子器件/ 電路熱沉材料和絕緣涂覆層等方面具有很大的應(yīng)用潛力.?在對立方氮化硼 (cBN) 薄膜研究中, 西北某金屬研究所采用

• HVA 真空閥門用在氣體管路系統(tǒng)

  某半導(dǎo)體工廠在生產(chǎn)線上氣體輸送環(huán)節(jié)的氣體管路系統(tǒng)采用伯東?HVA?不銹鋼真空閘閥?11000?，作為真空隔離密封.?HVA?是真空技術(shù)創(chuàng)新者的真空閥門(插板閥),?是高真空閥門的主要制造商和供應(yīng)商.?在設(shè)計真空系統(tǒng)時,?可以輕松集成?HVA?閥門. HVA?閘閥從5/8英寸（16

• KRi 射頻離子源 IBSD離子束濺射沉積應(yīng)用

  上海伯東美國?KRi 考夫曼 RF 射頻離子源, 燈絲提供高能量, 低濃度的寬束離子束, 離子束轟擊濺射目標, 濺射的原子(分子)沉積在襯底上形成薄膜, IBSD 離子束濺射沉積 和 ?IBD 離子束沉積是其典型的應(yīng)用.KRi?離子源在 IBSD 離子束濺射沉積應(yīng)用通常安裝兩個離子源主要濺射沉積源和二次預(yù)清潔 / 離子輔助源一次氣源為惰性氣體, 二次氣源為惰性或反應(yīng)性

• HVA 真空閥門（真空閘閥）成功用于激光真空系統(tǒng)

  激光是一種很奇妙的?”物質(zhì)”,?是人類繼原子能、計算機和半導(dǎo)體之后人類的又一偉大發(fā)現(xiàn).人們都知道,?激光亮度高,?可以達到太陽亮度的10億倍甚.激光純凈無比,?單色性好;?激光具有無比的準直性（直線傳播）;?而且,?激光的能量強大,?瞬間爆發(fā)的能量,?即使堅硬的物體也能夠被穿透、熔化.?因