半導(dǎo)體制造及**封裝持續(xù)升溫

時間：2025-03-10作者：鵬城半導(dǎo)體技術(shù)（深圳）有限公司瀏覽：111

鵬城半導(dǎo)體技術(shù)（深圳）有限公司專注于PVD鍍膜設(shè)備,化學(xué)氣相沉積,金剛石涂層等

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• 新聞快訊-鵬城半導(dǎo)體MOCVD設(shè)備

  材料的輸運采取了**純的氣路系統(tǒng)，源的切換和輸入采用了多路組合閥進氣技術(shù)。由于組合閥具有較小的死空間，使得源的殘留量非常少，有利于生長具有陡峭界面的材料。采用壓差控制技術(shù)控制組合閥的旁路和主路之間的壓力，大大降低了源的壓力和濃度波動，有利于材料生長的重復(fù)性和穩(wěn)定性。采用了管道鑲嵌式進氣噴頭，使反應(yīng)源在襯底表面均勻混合并反應(yīng)，大大降低了預(yù)反應(yīng)的發(fā)生。采用電阻式快速升降溫加熱爐。

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  等離子體化學(xué)氣相沉積設(shè)備有兩種:其一是PCVD(等離子體一般化學(xué)氣相沉積)，另一個是PECVD(等離子體增強化學(xué)氣相沉積)，它們都是在20世紀70年代發(fā)展起來的鍍膜工藝。其特點是:1、在不同基片上制備各種金屬膜、**物聚合膜、非晶態(tài)無機物膜;2、等離子體清洗基材，使膜層的附著力增加;3、可制備厚膜，內(nèi)應(yīng)力小、致密性好、針孔小、膜層成分均勻、不易產(chǎn)生微裂紋;4、低溫成膜，溫度對基材沒什么影響，避免了

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