小課堂之CMOS芯片檢測

時間：2022-12-07作者：深圳海木芯科技有限公司瀏覽：163

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  詞條說明

• SOI CMOS結(jié)構(gòu)和工藝

  常規(guī)的CMOS結(jié)構(gòu)中，電源與地之間存在寄生的PNPN即SCR結(jié)構(gòu)。當(dāng)SCR被觸發(fā)時，電源到地之間存在低阻通道，引起較大電流，破壞電路工作甚至燒毀電路，這就是閂鎖效應(yīng) (Latch-up)。為避免閂鎖效應(yīng)，早期采用SOS (Silicon On Sapphire) 技術(shù)制作CMOS電路，即在藍(lán)寶石絕緣襯底上外延硅，之后制作器件，這就有效的避免MOS管的源、漏區(qū)和襯底之間形成PN結(jié)。但是，藍(lán)寶石價格昂

• CMOS密碼忘了怎么辦？

  用通過設(shè)置CMOS密碼的確可以達(dá)到保護(hù)計算機(jī)的目的。但是如果用戶忘記了已設(shè)置的CMOS密碼，那么對于用戶而言同樣會面對無法進(jìn)入系統(tǒng)或無法進(jìn)入 BIOS設(shè)置程序的境地，這時該怎么辦呢，這里向大家介紹幾種常用的pojieCMOS密碼的方式：DE漏洞法、COPY法、CMOS放電法、跳線短接法以及概念硬件配置法.一、DE漏洞法CMOS數(shù)據(jù)的訪問是通過兩個I/O端口來實現(xiàn)的.端口70H是一個節(jié)的地址端口，用

• MEMS與傳統(tǒng)CMOS刻蝕與沉積工藝的關(guān)系

  1 MEMS 比 CMOS 的復(fù)雜之處MEMS 與 CMOS的根本區(qū)別在于：MEMS 是帶活動部件的三維器件，CMOS 是二維器件。因此，雖然許多刻蝕和沉積工藝相似，但某些工藝是 MEMS *有的，例如失效機(jī)理。舉個例子，由于 CMOS 器件沒有活動部件，因此不需要釋放工藝。正因為如此，當(dāng)活動部件“粘”在表面上，導(dǎo)致設(shè)備故障時，就會產(chǎn)生靜摩擦，CMOS 沒有這種問題。CMOS 器件是在硅材料上逐層

• 中國攝像頭CMOS需求潛力旺盛

  中國攝像頭CMOS需求潛力旺盛CCD和CMOS在制造上的主要區(qū)別是CCD是集bai成在半導(dǎo)體單晶材料上du，而CMOS是集成zhi在被稱做金屬氧化物的半導(dǎo)體材料dao上，工作原理沒有本質(zhì)的區(qū)別。CCD只有少數(shù)幾個廠商例如索尼、松下等掌握這種技術(shù)。而且CCD制造工藝較復(fù)雜，采用CCD的攝像頭價格都會相對比較貴。事實上經(jīng)過技術(shù)改造，目前CCD和CMOS的實際效果的差距已經(jīng)減小了不少。而且CMOS的制造