MEMS與傳統(tǒng)CMOS刻蝕與沉積工藝的關(guān)系

時間：2022-12-07作者：深圳海木芯科技有限公司瀏覽：241

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• 詞條

  詞條說明

• SOI CMOS結(jié)構(gòu)和工藝

  常規(guī)的CMOS結(jié)構(gòu)中，電源與地之間存在寄生的PNPN即SCR結(jié)構(gòu)。當(dāng)SCR被觸發(fā)時，電源到地之間存在低阻通道，引起較大電流，破壞電路工作甚至燒毀電路，這就是閂鎖效應(yīng) (Latch-up)。為避免閂鎖效應(yīng)，早期采用SOS (Silicon On Sapphire) 技術(shù)制作CMOS電路，即在藍(lán)寶石絕緣襯底上外延硅，之后制作器件，這就有效的避免MOS管的源、漏區(qū)和襯底之間形成PN結(jié)。但是，藍(lán)寶石價(jià)格昂

• CMOS微縮結(jié)束了嗎？

  不可否認(rèn)的是，CMOS的微縮已經(jīng)成為推動過去幾十年的巨大進(jìn)步的“燃料”，以提高性能、效率和降低集成電路和系統(tǒng)的成本，從而實(shí)現(xiàn)新的應(yīng)用。摩爾定律的終結(jié)已經(jīng)被預(yù)言了很多次，而材料、設(shè)備概念和圖案的創(chuàng)新已經(jīng)為當(dāng)前的10nm以下技術(shù)掃清了道路。然而，該行業(yè)已經(jīng)到了這樣一個階段:過去50年的規(guī)模化所帶來的功耗、性能、面積和成本(PPAC)方面的典型收益已經(jīng)變得越來越難以實(shí)現(xiàn)，尤其是在展望未來3nm技術(shù)的時候

• CMOS工藝流程介紹

  CMOS的制作需要經(jīng)過一系列的復(fù)雜的化學(xué)和物理操作，而做為一名集成電路版圖（ic layout）工程師，系統(tǒng)的了解這個在半導(dǎo)體制造技術(shù)中具有代表性的CMOS工藝流程是非常有必要的。只有熟悉了工藝流程才會了解各層次之間的關(guān)系，才會在IC Layout的繪制中考慮到版圖中各層次對流片產(chǎn)生的影響。1初始清洗將晶圓放入清洗槽中，利用化學(xué)或物理方法將在晶圓表面的塵?；螂s質(zhì)去除，防止這些雜質(zhì)塵粒對后續(xù)制造工藝

• CCD 與CMOS 圖像傳感器區(qū)別在哪里？

  1、 成像過程 CCD 與CMOS 圖像傳感器光電轉(zhuǎn)換的原理相同，他們較主要的差別在于信號的讀出過程不同；由于CCD僅有一個（或少數(shù)幾個）輸出節(jié)點(diǎn)統(tǒng)一讀出，其信號輸出的一致性非常好；而CMOS 芯片中，每個像素都有各自的信號放大器，各自進(jìn)行電荷-電壓的轉(zhuǎn)換，其信號輸出的一致性較差。但是CCD 為了讀出整幅圖像信號，要求輸出放大器的信號帶寬較寬，而在CMOS 芯片中，每個像元中的放大器的帶寬要求較低