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存儲(chǔ)芯片廢舊芯片轉(zhuǎn)讓


    龐博電子有限公司(中國(guó)香港)專注于晶圓回收,flash藍(lán)膜,內(nèi)存晶圓等

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  • 閃存擋片IC藍(lán)膜片大量處理

    閃存擋片IC藍(lán)膜片大量處理 IC藍(lán)膜片 IC藍(lán)膜片 操作不當(dāng)雖然我國(guó)機(jī)電行業(yè)得到了進(jìn)一步的發(fā)展,機(jī)電設(shè)備安裝流程逐漸的規(guī)范化、標(biāo)準(zhǔn)化,但是在實(shí)際安裝的時(shí)候,依然出現(xiàn)了諸多問題。在選擇變配電所存放場(chǎng)所的時(shí)候,必須要嚴(yán)格的按照相關(guān)規(guī)定和標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行安裝,在實(shí)踐安裝操作的時(shí)候,由于安裝人員本身的綜合素質(zhì)較低,進(jìn)而導(dǎo)致其不能熟練的掌握安裝流程,從而出現(xiàn)了諸多違規(guī)操作,導(dǎo)致機(jī)電設(shè)備安裝出現(xiàn)問題,無(wú)法充分的發(fā)揮出

  • 硅晶片不良芯片上門收購(gòu)

    硅晶片不良芯片上門收購(gòu) 不良芯片 不良芯片 CMOS的推挽輸出:輸出高電平時(shí)N管截止,P管導(dǎo)通;輸出低電平時(shí)N管導(dǎo)通,P管截止。輸出電阻小,因此驅(qū)動(dòng)能力強(qiáng)。CMOS門的漏較開路式:去掉P管,輸出端可以直接接在一起實(shí)現(xiàn)線與功能。如果用CMOS管直接接在一起,那么當(dāng)一個(gè)輸出高電平,一個(gè)輸出低電平時(shí),P管和N管同時(shí)導(dǎo)通,電流很大,可能燒毀管子。單一的管子導(dǎo)通,只是溝道的導(dǎo)通,電流小,如果兩個(gè)管子都導(dǎo)通,

  • SKHYNIX晶圓下線晶片大量處理

    SKHYNIX晶圓下線晶片大量處理下線晶片 下線晶片 下線晶片 原理:按相等時(shí)間間隔對(duì)信號(hào)采樣以重建波形,具體原理圖如圖1所示。?適用場(chǎng)景:對(duì)波形捕獲模式無(wú)特殊要求時(shí)使用。圖1標(biāo)準(zhǔn)捕獲模式原理圖峰值捕獲模式在該模式下,示波器至少能顯示出來(lái)與采樣周期一樣寬的所有脈沖。?原理:采集到采樣間隔信號(hào)的值和值,具體原理圖如圖2所示。?適用場(chǎng)景:捕獲可能丟失的窄脈沖和高頻率的毛刺。?注意事項(xiàng):雖然該模式可避免

  • 存儲(chǔ)晶圓藍(lán)膜片廢品回收

    存儲(chǔ)晶圓藍(lán)膜片廢品回收藍(lán)膜片 藍(lán)膜片 藍(lán)膜片 繼電保護(hù)狀態(tài)檢修的問題分析繼電保護(hù)狀態(tài)檢修工作實(shí)施中,由于受到各種因素的影響,在實(shí)際中就存在著一些問題。在對(duì)二次回路監(jiān)測(cè)問題上要加強(qiáng)重視。在計(jì)算機(jī)的智能化發(fā)展下,對(duì)繼電保護(hù)裝置的自身狀態(tài)監(jiān)測(cè)提供了技術(shù)支持,大大提高了監(jiān)測(cè)的質(zhì)量和效率。而在面對(duì)相對(duì)比較復(fù)雜的二次回路的時(shí)候,就會(huì)涉及到很多設(shè)備和繼電器,由于接點(diǎn)的分散化,這就使得在監(jiān)測(cè)過程中,保護(hù)裝置存在線

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