2012年中國(guó)半導(dǎo)體分立器件行業(yè)進(jìn)一步提高重點(diǎn)發(fā)展投資方向

時(shí)間：2025-06-25作者：深圳市凱高達(dá)科技有限公司瀏覽：1081

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• 詞條

  詞條說(shuō)明

• 2012年國(guó)內(nèi)IP核市場(chǎng)研究報(bào)告分析

  綜合考慮樣本企業(yè)的研發(fā)投入、銷售額、產(chǎn)品類型，預(yù)計(jì)2012年國(guó)內(nèi)IP核市場(chǎng)規(guī)模約為10.7億元。CSIP(工信部軟件與集成電路促進(jìn)中心)在2012年11月的研究報(bào)告中指出： 我國(guó)集成電路設(shè)計(jì)業(yè)的高速發(fā)展帶動(dòng)IP核市場(chǎng)穩(wěn)步擴(kuò)大，國(guó)內(nèi)企業(yè)對(duì)IP核的數(shù)量、質(zhì)量和服務(wù)的需求都在不斷增加。今年我們對(duì)隨機(jī)抽取的樣本企業(yè)的IP核采購(gòu)金額進(jìn)行調(diào)查，包括License和Royalty。綜合考慮樣本企業(yè)的研發(fā)投入、銷

• 臺(tái)積電28nm良品率已經(jīng)到了80% 新的Fab15工廠的產(chǎn)能也急劇攀升

  臺(tái)積電可謂是**芯片代工行業(yè)的**級(jí)人物，不過(guò)每次制造工藝的提升都會(huì)帶來(lái)一次良品率不足或是產(chǎn)能不足的情況。當(dāng)年堪稱大雷45nm制造工藝將AMD/NVIDIA急的團(tuán)團(tuán)轉(zhuǎn)。在進(jìn)入28nm時(shí)代之后，其產(chǎn)能不足較是飽受詬病。 閩臺(tái)《科技時(shí)報(bào)》援引了不**供應(yīng)商的消息稱目前臺(tái)積電的28nm良品率已經(jīng)到了80%，而且新的Fab15工廠的產(chǎn)能也急劇攀升。 Fab15工廠的產(chǎn)能在*三季度將擴(kuò)增300%，臺(tái)積電2

• 18寸晶圓2018年量產(chǎn) 是否過(guò)度樂(lè)觀的目標(biāo)

  在9月初SemiconTaiwan舉辦的“450mm供應(yīng)鏈”研討會(huì)中，臺(tái)積電和G450C(**450聯(lián)盟)明確揭示了18寸晶圓預(yù)計(jì)于2018年投入量產(chǎn)的發(fā)展時(shí)程。相對(duì)于臺(tái)積電的信心滿滿，包括TEL(東京威力科創(chuàng))、LamResearch、應(yīng)用材料和KLA-Tencor等設(shè)備制造商，卻都異口同聲地談到，設(shè)備業(yè)者所面臨的嚴(yán)峻開發(fā)成本與風(fēng)險(xiǎn)挑戰(zhàn)。 G450C的18寸晶圓量產(chǎn)時(shí)程 G450C(Globa

• 可用石墨烯實(shí)現(xiàn)大功率半導(dǎo)體設(shè)備大幅降溫

  據(jù)物理學(xué)家組織網(wǎng)5月9日(北京時(shí)間)報(bào)道，美國(guó)加州大學(xué)河濱分校伯恩斯工程學(xué)院的研究人員開發(fā)出一種新技術(shù)，可借助石墨烯實(shí)現(xiàn)大功率半導(dǎo)體設(shè)備的大幅降溫，解決在交通信號(hào)燈和電動(dòng)汽車中使用的半導(dǎo)體材料散熱問(wèn)題。相關(guān)研究報(bào)告5月8日發(fā)表在《自然·通訊》雜志上。 自上世紀(jì)90年代以來(lái)，半導(dǎo)體材料氮化鎵(GaN)就被用于強(qiáng)光的制造，并因?yàn)楦咝Ш涂赡透唠妷汗ぷ鞫挥糜跓o(wú)線設(shè)備中。然而就像所有大功率操作設(shè)備一樣，氮