詞條
詞條說(shuō)明
MOS管并聯(lián)均流技術(shù)分析 IGBT管并聯(lián)均流技術(shù)分析 BJT?管并聯(lián)均流技術(shù)分析 ? ? 普通的功率MOSFET因?yàn)閮?nèi)阻低、耐壓高、電流大、驅(qū)動(dòng)簡(jiǎn)易等優(yōu)良特性而得到了廣泛應(yīng)用。當(dāng)單個(gè)MOSFET的電流或耗散功率不滿足設(shè)計(jì)的需求時(shí)就遇到了并聯(lián)mos管的問(wèn)題。并聯(lián)mos管的兩大問(wèn)題,其一就是mos管的選型,其二就是mos管參數(shù)的篩選。 首先我們測(cè)試從某網(wǎng)店購(gòu)買的IRF4
肖特基二極管MUR3040PT 的反向擊穿電壓和正向壓降測(cè)試記錄
肖特基二極管MUR3040PT 的反向擊穿電壓和正向壓降測(cè)試記錄 測(cè)試器件 MUR3040PT(ON) 測(cè)試項(xiàng)目 1.二極管反向擊穿電壓 2.二極管正向壓降 測(cè)試方法 1.測(cè)試二極管反向擊穿電壓 用20KV高精度測(cè)試**穩(wěn)壓可調(diào)電源反向連接二極管,測(cè)試二極管的反向擊穿電壓。測(cè)試連接結(jié)構(gòu)如右圖所示,紅線所示連接1,黑線連接二極管2,撥動(dòng)一下20KV穩(wěn)壓電源的測(cè)試按鈕,即可在顯示屏上顯示二極管的反向電
電光調(diào)Q驅(qū)動(dòng)器已經(jīng)成為系列產(chǎn)品
電光調(diào)Q驅(qū)動(dòng)器已經(jīng)成為系列產(chǎn)品 ??? 我公司研制的電光調(diào)Q驅(qū)動(dòng)器已經(jīng)成為系列產(chǎn)品,分別為100Hz、1KHz、5KHz、10KHz、50KHz和200KHz。其中200KHz正在測(cè)試階段。
圖1 產(chǎn)品外觀圖 一、 概述 PID控制溫度的參數(shù)、適應(yīng)的溫度范圍有限,50~1300℃大溫度范圍的控制,一般采用多點(diǎn)曲線升溫的方式,單一的PID參數(shù)容易引發(fā)高溫段或者低溫段的震蕩現(xiàn)象,引發(fā)系統(tǒng)失調(diào),損壞電熱絲和熱電偶,經(jīng)過(guò)長(zhǎng)期的實(shí)驗(yàn)調(diào)試,這里推出多參數(shù)PID控制電源,用于大溫度范圍的控制。PID控制電源人性化的在**板引入較大輸出功率限制調(diào)節(jié)旋鈕,通過(guò)設(shè)定旋鈕位置,保證了加熱系統(tǒng)的安全;電源前
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調(diào)Q激半導(dǎo)體激光器電源 準(zhǔn)確價(jià)格請(qǐng)咨詢
負(fù)30KV高精度可調(diào)高壓穩(wěn)壓測(cè)試電源 準(zhǔn)確價(jià)格請(qǐng)咨詢
35KV高精度可調(diào)高壓穩(wěn)壓測(cè)試電源 準(zhǔn)確價(jià)格請(qǐng)咨詢
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