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詞條說明
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)
三菱IGBT(絕緣柵雙極型晶體管),是由 BJT(雙極結(jié)型晶體三極管) 和 MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管) 組成的復(fù)合全控型-電壓驅(qū)動式-功率半導(dǎo)體器件,其具有自關(guān)斷的特征。簡單講,是一個非通即斷的開關(guān),IGBT沒有放大電壓的功能,導(dǎo)通時可以看做導(dǎo)線,斷開時當(dāng)做開路。三菱IGBT融合了BJT和MOSFET的兩種器件的優(yōu)點,如驅(qū)動功率小和飽和壓降低等。IGBT模塊是由IGBT與FWD(續(xù)流二極管芯片)通
維護(hù)和保養(yǎng)富士IGBT主要是為了確保其正常運行和延長使用壽命。以下是日常維護(hù)富士IGBT的一些建議:溫度控制:確保IGBT的工作溫度在正常范圍內(nèi)。注意散熱系統(tǒng)的良好運作,保持通風(fēng)良好,避免過熱。清潔和除塵:定期清潔IGBT及其周圍環(huán)境,防止灰塵、污垢等雜質(zhì)積聚影響散熱。注意使用適當(dāng)?shù)那鍧嵎椒ê凸ぞ?,避免損壞IGBT。檢查和緊固:定期檢查IGBT的引腳、連接器和固定螺絲等,確保連接緊固可靠。必要時緊
IGBT全稱是絕緣柵雙極型晶體管,是由MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)和BIT(雙極型三極管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動型電力電子器件,本質(zhì)上是一個場效應(yīng)晶體管,只是在漏極和漏區(qū)之間多了一個P型層。想了解更多工業(yè)電路板、電梯電路板、變頻器相關(guān)知識請關(guān)注“從零開始變頻器維修”。功率模塊的好壞判斷主要是對功率模塊內(nèi)的續(xù)流二極管的判斷。對于IGBT模塊還需判斷在有觸發(fā)電壓的情況下能否正常導(dǎo)通和關(guān)斷。將數(shù)字萬用表
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