詞條
詞條說(shuō)明
IGBT是將強(qiáng)電流、高壓應(yīng)用和快速終端設(shè)垂直功率MOSFET的自然進(jìn)化。由于實(shí)現(xiàn)一個(gè)較高的擊穿電壓BVDSS需要一個(gè)源漏通道,而這個(gè)通道卻具有很高的電阻率,因而造成功率MOSFET具有RDS(on)數(shù)值高的特征,IGBT消除了現(xiàn)有功率MOSFET的這些主要缺點(diǎn)。雖然一代功率MOSFET 器件大幅度改進(jìn)了RDS(on)特性,但是在高電平時(shí),功率導(dǎo)通損耗仍然要比IGBT 技術(shù)高出很多。當(dāng)集電極被施加一
1、電磁閥類;2、磁性開(kāi)關(guān)類;3、節(jié)流閥類;4、浮動(dòng)接頭類;5、緩沖器類;6、氣缸類;7、真空發(fā)生器類;8、壓力開(kāi)關(guān)類;9、調(diào)壓閥類;10、手動(dòng)閥類;11、其它類。
發(fā)展趨勢(shì)1、低功率IGBTIGBT應(yīng)用范圍一般都在600V、1KA、1KHz以上區(qū)域,為滿足家電行業(yè)的發(fā)展需求,摩托羅拉、ST半導(dǎo)體、三菱等公司推出低功率IGBT產(chǎn)品,實(shí)用于家電行業(yè)的微波爐、洗衣機(jī)、電磁灶、電子整流器、照相機(jī)等產(chǎn)品的應(yīng)用。2、U-IGBTU(溝槽結(jié)構(gòu))--IGBT是在管芯上刻槽,芯片元胞內(nèi)部形成溝槽式柵極。采用溝道結(jié)構(gòu)后,可進(jìn)一步縮小元胞尺寸,減少溝道電阻,進(jìn)步電流密度,制造相同
日常維護(hù)西門子觸摸屏可以采取以下措施:保持清潔:定期清潔觸摸屏表面,避免灰塵、污漬等物質(zhì)積聚影響觸摸的精準(zhǔn)性??梢允褂萌彳浀臒o(wú)紡布或?qū)S糜|摸屏清潔液進(jìn)行清潔,切勿使用含有酸、堿等腐蝕性物質(zhì)。避免過(guò)度壓力:使用觸摸屏?xí)r,避免過(guò)度用力按壓或劃動(dòng)觸摸屏,保護(hù)觸摸屏表面。使用專用觸控筆時(shí),不要使用過(guò)度力量,以防刮傷屏幕。防止液體進(jìn)入:避免將水、飲料或其他液體濺到觸摸屏上,防止液體進(jìn)入觸摸屏內(nèi)部,引起短路或
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