詞條
詞條說明
1)柵電壓IGBT工作時(shí),必須有正向柵電壓,常用的柵驅(qū)動(dòng)電壓值為15~187,最高用到20V, 而棚電壓與柵極電阻Rg有很大關(guān)系,在設(shè)計(jì)IGBT驅(qū)動(dòng)電路時(shí), 參考IGBT Datasheet中的額定Rg值,設(shè)計(jì)合適驅(qū)動(dòng)參數(shù),保證合理正向柵電壓。因?yàn)镮GBT的工作狀態(tài)與正向棚電壓有很大關(guān)系,正向柵電壓越高,開通損耗越小,正向壓降也越小。2)Miller效應(yīng)為了降低Miller效應(yīng)的影響,在IGBT柵
本公司資金雄厚、現(xiàn)金交易、誠信待人、豐富經(jīng)驗(yàn)、經(jīng)過不斷的探索和發(fā)展,已形成完善的評估、采購,從而為客戶提供快捷價(jià)優(yōu)的庫存處理服務(wù)迅速為客戶消化庫存,回籠資金,我們交易靈活方便,高價(jià)回收、現(xiàn)金支付、盡量滿足客戶要求。本公司交易方式靈活,回收不論型號,不論數(shù)量,不論地區(qū),歡迎帶貨來談!
方法IGBT是將強(qiáng)電流、高壓應(yīng)用和快速終端設(shè)備用垂直功率MOSFET的自然進(jìn)化。由于實(shí)現(xiàn)一個(gè)較高的擊穿電壓BVDSS需要一個(gè)源漏通道,而這個(gè)通道卻具有很高的電阻率,因而造成功率MOSFET具有RDS(on)數(shù)值高的特征,IGBT消除了現(xiàn)有功率MOSFET的這些主要缺點(diǎn)。雖然最新一代功率MOSFET 器件大幅度改進(jìn)了RDS(on)特性,但是在高電平時(shí),功率導(dǎo)通損耗仍然要比IGBT 技術(shù)高出很多。較低
在使用富士IGBT時(shí)需要注意以下幾點(diǎn)事項(xiàng):電壓和電流匹配:選擇適當(dāng)?shù)母皇縄GBT型號,確保其額定電壓和額定電流能夠滿足實(shí)際工作條件的需求,并注意不要超過其電壓和電流的極限值。散熱設(shè)計(jì):富士IGBT在工作時(shí)會(huì)產(chǎn)生熱量,因此需要進(jìn)行合適的散熱設(shè)計(jì),確保器件能夠在正常工作溫度范圍內(nèi)運(yùn)行。選擇合適的散熱材料和散熱器,并正確安裝和調(diào)整散熱系統(tǒng)。靜電防護(hù):富士IGBT是一種敏感的半導(dǎo)體器件,對靜電有很高的敏感
公司名: 深圳市寶安區(qū)誠芯源電子商行
聯(lián)系人: 劉經(jīng)理
電 話: 13128707396
手 機(jī): +86 13128707396
微 信: +86 13128707396
地 址: 廣東深圳福田區(qū)園嶺街道園東社區(qū)園嶺八街園嶺新村92棟103
郵 編:
網(wǎng) 址: hchsw.cn.b2b168.com
公司名: 深圳市寶安區(qū)誠芯源電子商行
聯(lián)系人: 劉經(jīng)理
手 機(jī): +86 13128707396
電 話: 13128707396
地 址: 廣東深圳福田區(qū)園嶺街道園東社區(qū)園嶺八街園嶺新村92棟103
郵 編:
網(wǎng) 址: hchsw.cn.b2b168.com