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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)
選擇使用IGBT時需要考慮以下幾個因素:電流和電壓要求:根據(jù)應(yīng)用需求確定所需的電流和電壓等級,確保選用的IGBT能夠承受和適應(yīng)工作條件下的電流和電壓。開關(guān)速度:根據(jù)應(yīng)用需要確定所需的開關(guān)頻率和響應(yīng)時間,選擇具有恰當(dāng)開關(guān)速度的IGBT,以確保它能夠在給定的操作頻率下正常工作,并滿足快速響應(yīng)的要求。功率損耗:考慮IGBT的導(dǎo)通和開關(guān)損耗,以確定在負(fù)載條件下所需的散熱能力和冷卻要求。低導(dǎo)通和開關(guān)損耗的I
1、原裝正宗,仿的免談; 2、全新帶包裝的(如沒有包裝請說明); 3、價格要合理,爭取長期合作。
公司名: 深圳市寶安區(qū)誠芯源電子商行
聯(lián)系人: 劉經(jīng)理
電 話: 13128707396
手 機(jī): +86 13128707396
微 信: +86 13128707396
地 址: 廣東深圳福田區(qū)園嶺街道園東社區(qū)園嶺八街園嶺新村92棟103
郵 編:
網(wǎng) 址: hchsw.cn.b2b168.com
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