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IGBT可以在許多條件下使用,但以下幾個條件是使用IGBT的重要考慮因素:高電壓和高電流:IGBT適用于高電壓(數(shù)千伏范圍)和高電流(幾百安培以上)的應(yīng)用。它們可以承受較高的電壓和電流,并提供可靠的功率開關(guān)能力。高頻開關(guān):IGBT能夠?qū)崿F(xiàn)高頻率的開關(guān)操作,因此適用于需要頻繁切換的應(yīng)用。高頻開關(guān)可以實現(xiàn)高效能轉(zhuǎn)換和緊湊的系統(tǒng)設(shè)計。快速開關(guān)速度:選擇IGBT時需要考慮所需的開關(guān)速度。如果應(yīng)用需要快速的
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1、IGBT額定電壓的選擇三相380V輸入電壓經(jīng)過整流和濾波后,直流母線電壓的最大值:在開關(guān)工作的條件下,IGBT的額定電壓一般要求高于直流母線電壓的兩倍,根據(jù)IGBT規(guī)格的電壓等級,選擇1200V電壓等級的IGBT。2、IGBT額定電流的選擇以30kW變頻器為例,負載電流約為79A,由于負載電氣啟動或加速時,電流過載,一般要求1分鐘的時間內(nèi),承受1.5倍的過流,擇最大負載電流約為119A ,建議
1、系統(tǒng)概述現(xiàn)今Power MOSFET(金屬氧化物場效晶體管)及IGBT(絕緣柵型場效應(yīng)晶體管)已成為大功率元件的主流,在市場上居于主導地位。由于科技進步,電力電子裝置對輕薄短小及高性能之要求 ,帶動MOSFET及IGBT的發(fā)展,尤其應(yīng)用于電氣設(shè)備、光電、航天、鐵路、電力轉(zhuǎn)換....等領(lǐng)域,使半導體開發(fā)技術(shù)人員在市場需求下,對大功率元件的發(fā)展技術(shù),持續(xù)在突破。半導體元件除了本身功能要良好之外,其
公司名: 深圳市寶安區(qū)誠芯源電子商行
聯(lián)系人: 劉經(jīng)理
電 話: 13128707396
手 機: +86 13128707396
微 信: +86 13128707396
地 址: 廣東深圳福田區(qū)園嶺街道園東社區(qū)園嶺八街園嶺新村92棟103
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