詞條
詞條說明
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)
回收英飛凌IGBT主要是用來做能源轉(zhuǎn)換和傳輸?shù)模谛履茉窜?,智能電網(wǎng),航空航天和通信方面有廣泛的應(yīng)用。IGBT全稱叫做:絕緣柵雙極型晶體管,是一種在新能源車上應(yīng)用極其廣泛的半導(dǎo)體。什么是半導(dǎo)體?金屬導(dǎo)電性能好,稱為導(dǎo)體,塑料,陶瓷,木頭導(dǎo)電性能不好,稱為絕緣體。半導(dǎo)體是導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體和絕緣體中間。而IGBT是一種由控制電路來控制,是否導(dǎo)電的半導(dǎo)體。比如控制電路指示為通,那么IGBT就是導(dǎo)體,電流
方法IGBT是將強電流、高壓應(yīng)用和快速終端設(shè)備用垂直功率MOSFET的自然進化。由于實現(xiàn)一個較高的擊穿電壓BVDSS需要一個源漏通道,而這個通道卻具有很高的電阻率,因而造成功率MOSFET具有RDS(on)數(shù)值高的特征,IGBT消除了現(xiàn)有功率MOSFET的這些主要缺點。雖然最新一代功率MOSFET 器件大幅度改進了RDS(on)特性,但是在高電平時,功率導(dǎo)通損耗仍然要比IGBT 技術(shù)高出很多。較低
公司名: 深圳市寶安區(qū)誠芯源電子商行
聯(lián)系人: 劉經(jīng)理
電 話: 13128707396
手 機: +86 13128707396
微 信: +86 13128707396
地 址: 廣東深圳福田區(qū)園嶺街道園東社區(qū)園嶺八街園嶺新村92棟103
郵 編:
網(wǎng) 址: hchsw.cn.b2b168.com
公司名: 深圳市寶安區(qū)誠芯源電子商行
聯(lián)系人: 劉經(jīng)理
手 機: +86 13128707396
電 話: 13128707396
地 址: 廣東深圳福田區(qū)園嶺街道園東社區(qū)園嶺八街園嶺新村92棟103
郵 編:
網(wǎng) 址: hchsw.cn.b2b168.com