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詞條說明
IGBT可以在許多條件下使用,但以下幾個條件是使用IGBT的重要考慮因素:高電壓和高電流:IGBT適用于高電壓(數(shù)千伏范圍)和高電流(幾百安培以上)的應(yīng)用。它們可以承受較高的電壓和電流,并提供可靠的功率開關(guān)能力。高頻開關(guān):IGBT能夠?qū)崿F(xiàn)高頻率的開關(guān)操作,因此適用于需要頻繁切換的應(yīng)用。高頻開關(guān)可以實現(xiàn)高效能轉(zhuǎn)換和緊湊的系統(tǒng)設(shè)計。快速開關(guān)速度:選擇IGBT時需要考慮所需的開關(guān)速度。如果應(yīng)用需要快速的
IGBT的工作原理IGBT是將強電流、高壓應(yīng)用和快速終端設(shè)備用垂直功率MOSFET的自然進化。由于實現(xiàn)一個較高的擊穿電壓BVDSS需要一個源漏通道,而這個通道卻具有很高的電阻率,因而造成功率MOSFET具有RDS(on)數(shù)值高的特征,IGBT消除了現(xiàn)有功率MOSFET的這些主要缺點。雖然最新一代功率MOSFET 器件大幅度改進了RDS(on)特性,但是在高電平時,功率導(dǎo)通損耗仍然要比IGBT 技術(shù)
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公司名: 深圳市寶安區(qū)誠芯源電子商行
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