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IGBT的作用 IGBT是一種功率晶體管,運用此種晶體設(shè)計之UPS可有效提升產(chǎn)品效能,使電源品質(zhì)好、效率高、熱損耗少、噪音低、體積小與產(chǎn)品壽命長等多種優(yōu)點。 IGBT主要用于變頻器逆變和其他逆變電路。將直流電壓逆變成頻率可調(diào)的交流電。它有陰極,陽極,和控制極。關(guān)斷的時候其阻抗是非常大的基本是斷路,接通的時候存在很小的電阻,通過接通或斷開控制極來控制陰極和陽極之間的接通和關(guān)斷。 IGBT選型四個基本
正確選擇富士IGBT的關(guān)鍵在于了解和確定以下幾個因素:額定電壓(Vce)和額定電流(Ic):根據(jù)實際應(yīng)用需求,確定所需的額定電壓和額定電流范圍,以確保所選富士IGBT能夠滿足工作條件。開關(guān)速度:根據(jù)應(yīng)用的開關(guān)頻率和響應(yīng)要求,選擇富士IGBT的開關(guān)速度,一般有標(biāo)準(zhǔn)、高速和超快三種類型可選。包裝類型:富士IGBT有各種不同的封裝形式,如插件型、表面貼裝型和模塊型等,根據(jù)設(shè)備的安裝和布局要求,選擇適合的
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)
公司名: 深圳市寶安區(qū)誠芯源電子商行
聯(lián)系人: 劉經(jīng)理
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手 機: +86 13128707396
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