富士IGBT在電子設(shè)備中有哪些應(yīng)用

時(shí)間：2023-10-31作者：深圳市寶安區(qū)誠(chéng)芯源電子商行瀏覽：745

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• 詞條

  詞條說(shuō)明

• 回收英飛凌IGB

  IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大；MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開(kāi)關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)

• IGBT如何選型

  IGBT如何選型 1、IGBT額定電壓的選擇 三相380V輸入電壓經(jīng)過(guò)整流和濾波后，直流母線電壓的最大值：在開(kāi)關(guān)工作的條件下，IGBT的額定電壓一般要求高于直流母線電壓的兩倍，根據(jù)IGBT規(guī)格的電壓等級(jí)，選擇1200V電壓等級(jí)的IGBT。 2、IGBT額定電流的選擇 以30kW變頻器為例，負(fù)載電流約為79A，由于負(fù)載電氣啟動(dòng)或加速時(shí)，電流過(guò)載，一般要求1分鐘的時(shí)間內(nèi)，承受1.5倍的過(guò)流，擇最大負(fù)載

• 富士IGBT在電子設(shè)備中有哪些應(yīng)用

  富士IGBT在電子設(shè)備中有多種應(yīng)用，包括但不限于以下幾個(gè)方面：變頻器和驅(qū)動(dòng)器：富士IGBT廣泛應(yīng)用于變頻器和驅(qū)動(dòng)器中，用于控制電機(jī)的轉(zhuǎn)速和轉(zhuǎn)矩。通過(guò)調(diào)節(jié)富士IGBT的導(dǎo)通和截止?fàn)顟B(tài)，可以實(shí)現(xiàn)對(duì)變頻器輸出電壓和頻率的精確控制，從而實(shí)現(xiàn)電機(jī)的調(diào)速、啟動(dòng)和制動(dòng)等功能。電力系統(tǒng)和供電設(shè)備：富士IGBT在電力系統(tǒng)和供電設(shè)備中的應(yīng)用包括交流/直流電源、UPS（不間斷電源）、電網(wǎng)穩(wěn)壓器和電動(dòng)車充電器等。富士IG

• 回收三菱IGBT

  三菱IGBT(絕緣柵雙極型晶體管），是由 BJT(雙極結(jié)型晶體三極管) 和 MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管) 組成的復(fù)合全控型-電壓驅(qū)動(dòng)式-功率半導(dǎo)體器件,其具有自關(guān)斷的特征。簡(jiǎn)單講，是一個(gè)非通即斷的開(kāi)關(guān)，IGBT沒(méi)有放大電壓的功能，導(dǎo)通時(shí)可以看做導(dǎo)線，斷開(kāi)時(shí)當(dāng)做開(kāi)路。三菱IGBT融合了BJT和MOSFET的兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，如驅(qū)動(dòng)功率小和飽和壓降低等。IGBT模塊是由IGBT與FWD（續(xù)流二極管芯片）通