詞條
詞條說(shuō)明
方法IGBT是將強(qiáng)電流、高壓應(yīng)用和快速終端設(shè)備用垂直功率MOSFET的自然進(jìn)化。由于實(shí)現(xiàn)一個(gè)較高的擊穿電壓BVDSS需要一個(gè)源漏通道,而這個(gè)通道卻具有很高的電阻率,因而造成功率MOSFET具有RDS(on)數(shù)值高的特征,IGBT消除了現(xiàn)有功率MOSFET的這些主要缺點(diǎn)。雖然最新一代功率MOSFET 器件大幅度改進(jìn)了RDS(on)特性,但是在高電平時(shí),功率導(dǎo)通損耗仍然要比IGBT 技術(shù)高出很多。較低
IGBT驅(qū)動(dòng)電路應(yīng)用你了解多少?
IGBT的驅(qū)動(dòng)電路必須具備兩個(gè)功能:一是實(shí)現(xiàn)控制電路與被驅(qū)動(dòng) IGBT柵極的電隔離;二是提供合適的柵極驅(qū)動(dòng)脈沖。IGBT的驅(qū)動(dòng)電路很多,分立元件搭成的驅(qū)動(dòng)電路,簡(jiǎn)單、廉價(jià);專(zhuān)用集成驅(qū)動(dòng)電路保護(hù)功能完善、性能穩(wěn)定,但價(jià)格稍貴些。獲取海量變頻器圖紙,想了解更多工業(yè)電路板、電梯電路板、變頻器相關(guān)知識(shí)請(qǐng)關(guān)注“從零開(kāi)始變頻器維修”微信公眾號(hào)。EXB841是日本富士公司生產(chǎn)的混合集成電路,能驅(qū)動(dòng)動(dòng)高達(dá) 400
IGBT的作用 IGBT是一種功率晶體管,運(yùn)用此種晶體設(shè)計(jì)之UPS可有效提升產(chǎn)品效能,使電源品質(zhì)好、效率高、熱損耗少、噪音低、體積小與產(chǎn)品壽命長(zhǎng)等多種優(yōu)點(diǎn)。 IGBT主要用于變頻器逆變和其他逆變電路。將直流電壓逆變成頻率可調(diào)的交流電。它有陰極,陽(yáng)極,和控制極。關(guān)斷的時(shí)候其阻抗是非常大的基本是斷路,接通的時(shí)候存在很小的電阻,通過(guò)接通或斷開(kāi)控制極來(lái)控制陰極和陽(yáng)極之間的接通和關(guān)斷。 IGBT選型四個(gè)基本
1、IGBT額定電壓的選擇三相380V輸入電壓經(jīng)過(guò)整流和濾波后,直流母線(xiàn)電壓的最大值:在開(kāi)關(guān)工作的條件下,IGBT的額定電壓一般要求高于直流母線(xiàn)電壓的兩倍,根據(jù)IGBT規(guī)格的電壓等級(jí),選擇1200V電壓等級(jí)的IGBT。2、IGBT額定電流的選擇以30kW變頻器為例,負(fù)載電流約為79A,由于負(fù)載電氣啟動(dòng)或加速時(shí),電流過(guò)載,一般要求1分鐘的時(shí)間內(nèi),承受1.5倍的過(guò)流,擇最大負(fù)載電流約為119A ,建議
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