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詞條說(shuō)明
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IGBT可以在許多條件下使用,但以下幾個(gè)條件是使用IGBT的重要考慮因素:高電壓和高電流:IGBT適用于高電壓(數(shù)千伏范圍)和高電流(幾百安培以上)的應(yīng)用。它們可以承受較高的電壓和電流,并提供可靠的功率開(kāi)關(guān)能力。高頻開(kāi)關(guān):IGBT能夠?qū)崿F(xiàn)高頻率的開(kāi)關(guān)操作,因此適用于需要頻繁切換的應(yīng)用。高頻開(kāi)關(guān)可以實(shí)現(xiàn)高效能轉(zhuǎn)換和緊湊的系統(tǒng)設(shè)計(jì)??焖匍_(kāi)關(guān)速度:選擇IGBT時(shí)需要考慮所需的開(kāi)關(guān)速度。如果應(yīng)用需要快速的
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)
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