微電容單通道叉指電極真空探針臺(tái)用途介紹

時(shí)間：2023-10-07作者：鄭州科探儀器設(shè)備有限公司瀏覽：55

鄭州科探儀器設(shè)備有限公司專注于真空探針臺(tái),小型離子蒸鍍儀,小型離子濺射儀等

• 詞條

  詞條說明

• 小型金屬濺射鍍膜機(jī)優(yōu)點(diǎn)

  1、樣品臺(tái)旋轉(zhuǎn)，多樣品同時(shí)鍍膜時(shí)，鍍膜厚度比較均勻。2、預(yù)濺射擋板功能，剛開始鍍膜的時(shí)候腔室里會(huì)有些雜質(zhì)，擋板可以保護(hù)樣品，提高薄膜質(zhì)量3、帶有水冷系統(tǒng)，可以長時(shí)間濺射鍍膜，厚度可達(dá)1微米以上。4、直流磁控濺射，提高附著力，濺射速率快，比離子濺射快上一個(gè)量級。針對某些金屬較快能達(dá)到1-2納米每秒，5、不但可以電鏡制樣，還可以制作金屬電極。6、可擴(kuò)展膜厚監(jiān)測，監(jiān)測薄膜厚度。濺射儀使用需注1 靶材需要

• 磁控濺射技術(shù)原理及應(yīng)用簡介

  磁控濺射技術(shù)原理及應(yīng)用簡介一、磁控濺射原理磁控濺射是一種常用的物相沉積（PVD）的方法，具有沉積溫度低、沉積速度快、所沉積的薄膜均勻性好，成分接近靶材成分等眾多優(yōu)點(diǎn)。傳統(tǒng)的濺射技術(shù)的工作原理是：在高真空的條件下，入射離子（Ar+）在電場的作用下轟擊靶材，使得靶材表面的中性原子或分子獲得足夠動(dòng)能脫離靶材表面，沉積在基片表面形成薄膜。但是，電子會(huì)受到電場和磁場的作用，產(chǎn)生漂移，因而導(dǎo)致傳濺射效率低，電

• 濕度和氣體濃度實(shí)驗(yàn)設(shè)備產(chǎn)品優(yōu)勢

  這個(gè)帶有濕度控制的氣體濃度發(fā)生器具有一系列強(qiáng)大的功能和性能參數(shù)，特別適合需要在高濕度和寬范圍氣體濃度中準(zhǔn)確控制和檢測的應(yīng)用。以下是一些關(guān)鍵的性能參數(shù)和特性：- AI智能控制算法：采用**的AI智能控制算法，能夠在大范圍的氣體濃度比例下準(zhǔn)確穩(wěn)定地控制氣體濕度。- 寬廣的濃度稀釋范圍：該設(shè)備的濃度稀釋范圍為1-5000倍，適應(yīng)各種應(yīng)用環(huán)境。- 高精度流量檢測：流量檢測精度可達(dá)到±1% F.S，流量線性

• 基于真空探針臺(tái)的紅外焦平面自動(dòng)測試的關(guān)鍵技術(shù)研究

  紅外熱成像技術(shù)由于自身各種優(yōu)勢在軍事領(lǐng)域和民用領(lǐng)域有著廣闊的應(yīng)用前景,因此備受各國重視,競相發(fā)展相關(guān)技術(shù)。? ? 由于國外對紅外熱成像技術(shù)的研究比較早,而我國在紅外熱成像技術(shù)領(lǐng)域起步較晚,所以差距很大。近年來我國在紅外熱成像技術(shù)的相關(guān)領(lǐng)域**了一些進(jìn)展,但很多方面還是遠(yuǎn)遠(yuǎn)落后于世界水平。? ? 因此,還需要加快紅外熱成像技術(shù)的研究。本課題以加快紅外熱成像技術(shù)