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?針對光學和介電功能薄膜制備中的離化率低和靶面污染問題,設計了一種磁控濺射沉積系統(tǒng),系統(tǒng)包括磁控濺射靶裝置、等離子體源和陽極清洗裝置。主要結論有:(1)在磁控濺射靶裝置設計中,采用磁流體密封替代橡膠軸承密封,提高了靶裝置的密封性,極限真空度可達10-6 Pa;采用旋轉磁鋼代替固定磁鋼,使靶材的利用率從30%提高到60%,同時避免了靶裝置在預先清洗時的污染;設計了靶裝置的驅動端,完成了電機
熱電偶元件是在工業(yè)、科研中廣泛使用的一種溫度傳感器,具有測溫范圍廣,堅固耐用,無自發(fā)熱現(xiàn)象,使用方便等優(yōu)點。薄膜熱電偶除了繼承上述普通熱電偶的優(yōu)點外,還具有熱容小,響應速度快,幾乎不占用空間,對被測物體影響小的優(yōu)點。本研究為制備K型薄膜熱電偶選擇了電子束蒸發(fā)鍍,磁控濺射,多弧離子鍍?nèi)NPVD方法。其中一部分樣片的NiCr/NiSi薄膜均由磁控濺射均由磁控濺射沉積,另一部分樣片的NiCr薄膜由磁控濺
這個帶有濕度控制的氣體濃度發(fā)生器具有一系列強大的功能和性能參數(shù),特別適合需要在高濕度和寬范圍氣體濃度中準確控制和檢測的應用。以下是一些關鍵的性能參數(shù)和特性:- AI智能控制算法:采用**的AI智能控制算法,能夠在大范圍的氣體濃度比例下準確穩(wěn)定地控制氣體濕度。- 寬廣的濃度稀釋范圍:該設備的濃度稀釋范圍為1-5000倍,適應各種應用環(huán)境。- 高精度流量檢測:流量檢測精度可達到±1% F.S,流量線性
集成電路自動化裝備-探針臺是晶圓測試領域研究的熱點。由于晶圓片上晶粒很小,達到微米級,所以要求探針臺要保持很高的定位精度和運動精度才能保證探針與晶粒的準確對針和測試。因此,本文主要研究的問題是如何保證探針臺高精密控制,從而達到微米級定位要求。? ? ? ?本文來自于國家02專項-面向12”晶圓片的全自動探針臺關鍵技術研究。首先,本文介紹了探針臺兩大部分-LO
公司名: 鄭州科探儀器設備有限公司
聯(lián)系人: 裴先生
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手 機: 15136134901
微 信: 15136134901
地 址: 河南鄭州中原區(qū)鄭州**產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)西三環(huán)路289號6幢11單元3層73號
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網(wǎng) 址: zzketan.b2b168.com
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