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小型濺射儀的工作原理是指電子在電場E的作用下,在飛向基片過程中與氬原子發(fā)生碰撞,使其電離產(chǎn)生出Ar正離子和新的電子;新電子飛向基片,Ar離子在電場作用下加速飛向陰靶,并以高能量轟擊靶表面,使靶材發(fā)生濺射。在濺射粒子中,中性的靶原子或分子沉積在基片上形成薄膜,而產(chǎn)生的二次電子會受到電場和磁場作用,產(chǎn)生E(電場)×B(磁場)所指的方向漂移,簡稱E×B漂移,其運(yùn)動軌跡近似一條擺線。若為環(huán)形磁場,則電子就
熱電偶元件是在工業(yè)、科研中廣泛使用的一種溫度傳感器,具有測溫范圍廣,堅(jiān)固耐用,無自發(fā)熱現(xiàn)象,使用方便等優(yōu)點(diǎn)。薄膜熱電偶除了繼承上述普通熱電偶的優(yōu)點(diǎn)外,還具有熱容小,響應(yīng)速度快,幾乎不占用空間,對被測物體影響小的優(yōu)點(diǎn)。本研究為制備K型薄膜熱電偶選擇了電子束蒸發(fā)鍍,磁控濺射,多弧離子鍍?nèi)NPVD方法。其中一部分樣片的NiCr/NiSi薄膜均由磁控濺射均由磁控濺射沉積,另一部分樣片的NiCr薄膜由磁控濺
磁控濺射技術(shù)原理及應(yīng)用簡介一、磁控濺射原理磁控濺射是一種常用的物相沉積(PVD)的方法,具有沉積溫度低、沉積速度快、所沉積的薄膜均勻性好,成分接近靶材成分等眾多優(yōu)點(diǎn)。傳統(tǒng)的濺射技術(shù)的工作原理是:在高真空的條件下,入射離子(Ar+)在電場的作用下轟擊靶材,使得靶材表面的中性原子或分子獲得足夠動能脫離靶材表面,沉積在基片表面形成薄膜。但是,電子會受到電場和磁場的作用,產(chǎn)生漂移,因而導(dǎo)致傳濺射效率低,電
探針臺精準(zhǔn)控制關(guān)鍵技術(shù)研究
集成電路自動化裝備-探針臺是晶圓測試領(lǐng)域研究的熱點(diǎn)。由于晶圓片上晶粒很小,達(dá)到微米級,所以要求探針臺要保持很高的定位精度和運(yùn)動精度才能保證探針與晶粒的準(zhǔn)確對針和測試。因此,本文主要研究的問題是如何保證探針臺高精密控制,從而達(dá)到微米級定位要求。? ? ? ?本文來自于國家02專項(xiàng)-面向12”晶圓片的全自動探針臺關(guān)鍵技術(shù)研究。首先,本文介紹了探針臺兩大部分-LO
公司名: 鄭州科探儀器設(shè)備有限公司
聯(lián)系人: 裴先生
電 話:
手 機(jī): 15136134901
微 信: 15136134901
地 址: 河南鄭州中原區(qū)鄭州**產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)西三環(huán)路289號6幢11單元3層73號
郵 編:
網(wǎng) 址: zzketan.b2b168.com
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