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因產(chǎn)品配置不同,價格貨期需要電議,圖片僅供參考,一切以實際成交合同為準(zhǔn)。HVA 矩形閥?Load-lock 典型應(yīng)用上海伯東某生產(chǎn)原生多晶矽料生產(chǎn)設(shè)備, 矽片加工設(shè)備, 晶體矽電池生產(chǎn)設(shè)備企業(yè), 使用美國?HVA 矩形閥用于真空機(jī)臺的 Load-lock工位, HVA 矩形閥安裝在 2X18 英寸規(guī)格內(nèi)的矽片生產(chǎn)線上, 起到輔助傳遞矽片, 隔離真空腔室的作用.矽片比較薄, 一般
上海伯東美國?KRi 考夫曼 RF 射頻離子源, 燈絲提供高能量, 低濃度的寬束離子束, 離子束轟擊濺射目標(biāo), 濺射的原子(分子)沉積在襯底上形成薄膜, IBSD 離子束濺射沉積 和 ?IBD 離子束沉積是其典型的應(yīng)用.KRi?離子源在 IBSD 離子束濺射沉積應(yīng)用通常安裝兩個離子源主要濺射沉積源和二次預(yù)清潔 / 離子輔助源一次氣源為惰性氣體, 二次氣源為惰性或反應(yīng)性
KRi 大面積射頻離子源應(yīng)用于 12英寸,8英寸 IBE 離子束蝕刻系統(tǒng)
上海伯東美國?KRi 考夫曼公司大面積射頻離子源? RFICP 380, RFICP 220 成功應(yīng)用于 12英寸和 8英寸 IBE? 離子束蝕刻機(jī), 刻蝕均勻性(1 σ)達(dá)到< 1%. 可以用來刻蝕任何固體材料, 包括金屬, 合金, 氧化物, 化合物, 混合材料, 半導(dǎo)體, 絕緣體, 導(dǎo)體等.離子束刻蝕屬于干法刻蝕, 其部件為大面積離子源. 作為蝕刻機(jī)的部件,
氦質(zhì)譜檢漏儀 CVD 設(shè)備檢漏,滿足*三代半導(dǎo)體芯片量產(chǎn)
氦質(zhì)譜檢漏儀?CVD 設(shè)備檢漏, 滿足*三代半導(dǎo)體芯片量產(chǎn)上海伯東某客戶是一家以先進(jìn)化合物半導(dǎo)體光電器件相關(guān)產(chǎn)品衍生智造為主業(yè)的創(chuàng)新型科技公司, 核心產(chǎn)品是物聯(lián)網(wǎng), 5G 通訊, 安防監(jiān)控等*三代半導(dǎo)體芯片. 芯片在生產(chǎn)過程中使用 CVD 設(shè)備做鍍膜處理, 在鍍膜過程中需要保持設(shè)備處于高真空狀態(tài), 這就要求腔體的泄漏率不能過 1E-10 mbrl l/s.CVD?設(shè)備檢漏要
公司名: 伯東企業(yè)(上海)有限公司
聯(lián)系人: 葉南晶
電 話: 021-50463511
手 機(jī): 13918837267
微 信: 13918837267
地 址: 上海浦東高橋上海浦東新區(qū)新金橋路1888號36號樓7樓702室
郵 編:
網(wǎng) 址: hakuto2010.cn.b2b168.com
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