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可控硅調(diào)速是用改變可控硅導通角的方法來改變電機端電壓的波形,從而改變電機端電壓的有效值,達到調(diào)速的目的。當可控硅導通角=180時,電機端電壓波形為正弦波,即全導通狀態(tài);當可控硅導通角<180時,即非全導通狀態(tài),電壓有效值減小;導通角越小,導通狀態(tài)越少,則電壓有效值越小,所產(chǎn)生的磁場越小,則電機的轉(zhuǎn)速越低。由以上的分析可知,采用可控硅調(diào)速其電機的轉(zhuǎn)速可連續(xù)調(diào)節(jié)。CPU⑥腳輸出的驅(qū)動信號經(jīng)Q5放
可控硅壞的原因:1、電壓擊穿可控硅因不能承受電壓而損壞,其芯片中有一個光潔的小孔,有時需用擴大鏡才能看見。其原因可能是管子本身耐壓下降或被電路斷開時產(chǎn)生的高電壓擊穿。2、電流損壞電流損壞的痕跡特征是芯片被燒成一個凹坑,且粗糙,其位置在遠離控制極上。3、電流上升率損壞其痕跡與電流損壞相同,而其位置在控制極附近或就在控制極上。4、邊緣損壞他發(fā)生在芯片外圓倒角處,有細小光潔小孔。用放大鏡可看到倒角面上有
整流橋的基本原理與應用整流橋是一種將交流電轉(zhuǎn)換為直流電的關(guān)鍵電子元件,廣泛應用于各類電源設備中。它由四個二極管按橋式結(jié)構(gòu)連接而成,利用二極管的單向?qū)щ娦?,無論交流電處于正半周還是負半周,都能使電流沿同一方向輸出,從而得到脈動的直流電。整流橋具有結(jié)構(gòu)簡單、效率高、成本低等優(yōu)點,在開關(guān)電源、充電器、電機驅(qū)動等場景里發(fā)揮著重要作用。作為電力電子領域的專業(yè)供應商,我們企業(yè)長期代理英飛凌、歐派克、日本三社
德國英飛凌IGBT模塊是一種高效、高功率密度的半導體模塊,廣泛應用于各種電力電子應用領域,如電動汽車、風力發(fā)電、工業(yè)驅(qū)動等。首先,英飛凌IGBT模塊采用了先進的絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)技術(shù)。這是一種特殊類型的功率半導體器件,具有較高的開關(guān)頻率和功率轉(zhuǎn)換效率。因此,英飛凌IGBT模塊在高頻、高效和快速開關(guān)方面具有顯著優(yōu)勢,使其在各種電力電子應用中成為理想選擇。其次,英飛凌IGBT模塊采用了先進
公司名: 昆山奇沃電子有限公司
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電 話: 0512-50111678
手 機: 18962647678
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