二極管模塊怎么選型

時(shí)間：2025-05-23作者：昆山奇沃電子有限公司瀏覽：1713

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• 詞條

  詞條說(shuō)明

• 【進(jìn)口吸收電容】吸收電容特點(diǎn)

  無(wú)感吸收電容是指刻意采取了降低感抗措施的電熔類(lèi)器件。采用電極板的特殊繞法，表現(xiàn)出的電感很小，適合在高頻電路使用。用途：主要用于UPS、變頻器、電鍍電源、逆變焊機(jī)、逆變電源以及感應(yīng)加熱設(shè)備等其他電力電子設(shè)備，IGBT吸收高頻尖峰電壓、電流用。無(wú)感吸收電熔 其實(shí)是無(wú)感吸收電熔的一個(gè)統(tǒng)稱(chēng)吸收電容在電路中起的作用類(lèi)似于低通濾波器，可以吸收掉尖峰電壓。通常用在有絕緣柵雙極型晶體管（IGBT），消除由于母排的

• 英飛凌IGBT模塊命名規(guī)則

  IGBT模塊的型號(hào)密碼：解讀英飛凌命名體系電力電子工程師打開(kāi)IGBT模塊規(guī)格書(shū)時(shí)，首先映入眼簾的是一串復(fù)雜的字母數(shù)字組合。這些看似隨機(jī)的字符背后隱藏著嚴(yán)謹(jǐn)?shù)拿壿?，掌握這套密碼體系能快速判斷模塊的關(guān)鍵參數(shù)。模塊型號(hào)通常包含六個(gè)核心信息段。第一部分表示電壓等級(jí)，數(shù)字6代表600V，1代表1200V，這是模塊耐壓能力的直接體現(xiàn)。第二部分字母組合顯示產(chǎn)品系列，不同系列對(duì)應(yīng)特定的技術(shù)代次和工藝特征。第三

• 英飛凌各代IGBT模塊技術(shù)詳解

  # IGBT模塊技術(shù)的演進(jìn)與未來(lái)趨勢(shì)## IGBT技術(shù)發(fā)展歷程IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）模塊技術(shù)自問(wèn)世以來(lái)經(jīng)歷了多次重大革新。早期產(chǎn)品采用平面柵結(jié)構(gòu)，開(kāi)關(guān)速度相對(duì)較慢，導(dǎo)通損耗較高。隨著工藝進(jìn)步，溝槽柵技術(shù)應(yīng)運(yùn)而生，顯著降低了導(dǎo)通壓降，提高了開(kāi)關(guān)頻率。第三代IGBT引入場(chǎng)終止技術(shù)，使芯片厚度大幅減小，同時(shí)保持了良好的阻斷電壓能力。近年來(lái)出現(xiàn)的第七代IGBT模塊在功率密度方面取得突破，單位面積電

• 【二極管模塊】快恢復(fù)二極管和快恢復(fù)二極管模塊有什么區(qū)別？

  二者都是反向恢復(fù)很快的二極管，主要區(qū)別是功率、速度和封裝不同快恢復(fù)二極管一般指電流、電壓、功率比較小的單管，一般電流幾個(gè)安培以內(nèi)，電壓最高1000多V，但是反向恢復(fù)素的很快，只有幾個(gè)ns至幾十個(gè)ns，用在小功率開(kāi)關(guān)電源做輸出整流，或需要頻繁開(kāi)關(guān)的場(chǎng)合，器封裝一般是塑封、玻璃封裝、陶瓷封裝等，很小，例如UF4007快恢復(fù)二極管模塊指封裝成模塊的二極管，功率較大，幾十、幾百安培，主要用于整流，在大功率