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詞條說明
1、根據(jù)線路要求和安裝條件選擇熔斷器的型號。容量小的電路選擇半封閉式或無填料封閉式;短路電流大的選擇有填料封閉式;半導體元件保護選擇快速熔斷器。2、根據(jù)負載特性選擇熔斷器的額定電流。3、選擇各級熔體需相互配合,后一級要比**級小,總閘和各分支線路上電流不一樣,選擇熔絲也不一樣。4、根據(jù)線路電壓選擇熔斷器的額定電壓。5、交流異步電機保護熔體電流不能選擇太?。ńㄗh2~2.5倍電機的額定電流)。如選擇過
由于IGBT模塊為MOSFET結(jié)構(gòu),IGBT的柵較通過一層氧化膜與發(fā)射較實現(xiàn)電隔離。由于此氧化膜很薄,其擊穿電壓一般達到20~30V。因此因靜電而導致柵較擊穿是IGBT失效的常見原因之一。因此使用中要注意以下幾點:在使用模塊時,盡量不要用手觸摸驅(qū)動端子部分,當必須要觸摸模塊端子時,要先將人體或衣服上的靜電用大電阻接地進行放電后,再觸摸;在用導電材料連接模塊驅(qū)動端子時,在配線未接好之前請先不要接上模
一般保存IGBT模塊的場所,應保持常溫常濕狀態(tài),不應偏離太大。常溫的規(guī)定為5~35℃ ,常濕的規(guī)定在45~75%左右。在冬天特別干燥的地區(qū),需用加濕機加濕;盡量遠離有腐蝕性氣體或灰塵較多的場合;在溫度發(fā)生急劇變化的場所IGBT模塊表面可能有結(jié)露水的現(xiàn)象,因此IGBT模塊應放在溫度變化較小的地方;保管時,須注意不要在IGBT模塊上堆放重物;裝IGBT模塊的容器,應選用不帶靜電的容器。?
SEMIKRONINTERNATIONAL GmbH由Fritz Martin博士創(chuàng)建于1951年,是一家的半導體器件制造商。賽米控公司總部位于德國紐倫堡,擁有**過3000名員工,是財政獨立的家族式企業(yè)。? ? ?賽米控在共有37家子公司,在德國、巴西、中國、法國、印度、意大利、韓國、斯洛伐克、南非和美國分別設(shè)有生產(chǎn)基地,共有8個方案解決中心(分別在:中國,美國,法國
公司名: 上海寅涵智能科技發(fā)展有限公司
聯(lián)系人: 蔣艷
電 話: 021-51096998
手 機: 18221423398
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地 址: 上海浦東自由貿(mào)易試驗區(qū)芳春路400號1幢3層
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網(wǎng) 址: yygydn123.cn.b2b168.com

功率晶閘管半導體IGBT模塊|一件也是批發(fā)價|FZ400R17KE3 400A

?IGBT-Module|現(xiàn)貨供應|FZ1200R16KF4 1200A

Infineon英飛凌IGBT模塊|一手貨源|FZ1800R16KF4 1800A

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IGBT驅(qū)動電路|現(xiàn)貨供應|FZ1800R17KE3_B2 1800A

英飛凌igbt單管|貨源穩(wěn)定|FZ800R16KF4 800A

大功率igbt高壓可控硅|原盒原包|FZ2400R17KF6C_B2 2400A

功率晶閘管半導體IGBT模塊|一手貨源|FZ1600R17KE3_B2 1600A
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