怎么選擇熔斷器？

時(shí)間：2022-09-27作者：上海寅涵智能科技發(fā)展有限公司瀏覽：334

上海寅涵智能科技發(fā)展有限公司專注于IGBT模塊,二極管,熔斷器,可控硅,晶閘管等

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• B43564-S9428-M3愛普科斯EPCOS鋁電解電容逆變器

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• IGBT模塊該怎樣去選擇呢？

  IGBT模塊的電壓規(guī)格與所使用裝置的輸入電源即試電電源電壓緊密相關(guān)。使用中當(dāng)IGBT模塊集電極電流增大時(shí)，所產(chǎn)生的額定損耗亦變大。同時(shí)，開關(guān)損耗增大，使原件發(fā)熱加劇，因此，選用IGBT模塊時(shí)額定電流應(yīng)大于負(fù)載電流。特別是用作高頻開關(guān)時(shí)，由于開關(guān)損耗增大，發(fā)熱加劇，選用時(shí)應(yīng)該降等使用。

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• IGBT模塊是什么？

  IG是Insulated Gate Bipolar Transistor（絕緣柵雙較型晶體管）的縮寫，IG是由MOSFET和雙較型晶體管復(fù)合而成的一種器件，其輸入較為MOSFET，輸出較為PNP晶體管，它融和了這兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，既具有MOSFET器件驅(qū)動(dòng)功率小和開關(guān)速度快的優(yōu)點(diǎn)，又具有雙較型器件飽和壓降低而容量大的優(yōu)點(diǎn)，其頻率特性介于MOSFET與功率晶體管之間，可正常工作于幾十kHz頻率范圍內(nèi)，