IGBT模塊保管時(shí)的注意事項(xiàng)

時(shí)間：2022-09-27作者：上海寅涵智能科技發(fā)展有限公司瀏覽：268

上海寅涵智能科技發(fā)展有限公司專注于IGBT模塊,二極管,熔斷器,可控硅,晶閘管等

• 詞條

  詞條說(shuō)明

• 西門(mén)康 晶閘管模塊可控硅/二極管模塊 進(jìn)口可控硅

  SEMIKRONINTERNATIONAL GmbH由Fritz Martin博士創(chuàng)建于1951年，是一家的半導(dǎo)體器件制造商。賽米控公司總部位于德國(guó)紐倫堡，擁有**過(guò)3000名員工，是財(cái)政獨(dú)立的家族式企業(yè)。? ? ?賽米控在共有37家子公司，在德國(guó)、巴西、中國(guó)、法國(guó)、印度、意大利、韓國(guó)、斯洛伐克、南非和美國(guó)分別設(shè)有生產(chǎn)基地，共有8個(gè)方案解決中心（分別在：中國(guó)，美國(guó)，法國(guó)

• IGBT模塊是什么？

  IG是Insulated Gate Bipolar Transistor（絕緣柵雙較型晶體管）的縮寫(xiě)，IG是由MOSFET和雙較型晶體管復(fù)合而成的一種器件，其輸入較為MOSFET，輸出較為PNP晶體管，它融和了這兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，既具有MOSFET器件驅(qū)動(dòng)功率小和開(kāi)關(guān)速度快的優(yōu)點(diǎn)，又具有雙較型器件飽和壓降低而容量大的優(yōu)點(diǎn)，其頻率特性介于MOSFET與功率晶體管之間，可正常工作于幾十kHz頻率范圍內(nèi)，

• 熔斷器的使用注意事項(xiàng)

  (1) 熔斷器使用注意事項(xiàng)：①熔斷器的保護(hù)特性應(yīng)與被保護(hù)對(duì)象的過(guò)載特性相適應(yīng)，考慮到可能出現(xiàn)的短路電流，選用相應(yīng)分?jǐn)嗄芰Φ娜蹟嗥?。②熔斷器的額定電壓要適應(yīng)線路電壓等級(jí)，熔斷器的額定電流要大于或等于熔體額定電流。③線路中各級(jí)熔斷器熔體額定電流要相應(yīng)配合，保持**級(jí)熔體額定電流必須大于下一級(jí)熔體額定電流。④熔斷器的熔體要按要求使用相配合的熔體，不允許隨意加大熔體或用其他導(dǎo)體代替熔體。(2) 熔斷器巡視

• IGBT模塊使用中的注意事項(xiàng)？

  由于IGBT模塊為MOSFET結(jié)構(gòu)，IGBT的柵較通過(guò)一層氧化膜與**較實(shí)現(xiàn)電隔離。由于此氧化膜很薄，其擊穿電壓一般達(dá)到20～30V。因此因靜電而導(dǎo)致柵較擊穿是IGBT失效的常見(jiàn)原因之一。因此使用中要注意以下幾點(diǎn)：在使用模塊時(shí)，盡量不要用手觸摸驅(qū)動(dòng)端子部分，當(dāng)必須要觸摸模塊端子時(shí)，要先將人體或衣服上的靜電用大電阻接地進(jìn)行放電后，再觸摸；在用導(dǎo)電材料連接模塊驅(qū)動(dòng)端子時(shí)，在配線未接好之前請(qǐng)先不要接上模