KRI 離子源應用于舞臺燈光濾光片鍍膜

時間：2024-01-10作者：伯東企業(yè)（上海）有限公司瀏覽：56

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  詞條說明

• HVA 高真空閘閥應用于 E-Beam 鍍膜機

  因產品配置不同，價格貨期需要電議，圖片僅供參考，一切以實際成交合同為準。HVA 高真空閘閥應用于 E-Beam 鍍膜機E-Beam 電子束蒸發(fā)鍍膜機用于在半導體, 光學, **導材料等行業(yè)的研究與生產, 比如基片蒸發(fā)沉積金屬, 導電薄膜, 半導體薄膜, 鐵電薄膜, 光學薄膜和介質材料.E-Beam 鍍膜機設備組成:?系統(tǒng)主要由蒸發(fā)室, 電子, 進樣室 (可選) , 旋轉基片加熱臺, 工作氣

• 氦質譜檢漏儀中壓開關柜檢漏

  氦質譜檢漏儀中壓開關柜檢漏應用于電力行業(yè)的中壓開關柜, 廣泛使用在發(fā)電廠, 變電站, 地區(qū)電網和輸電站中. 另外也適用于船舶, 高鐵等. 中壓開關柜是一種金屬封閉開關設備, 它對中壓開關以外的其他設備, 起到很好的絕緣性能, 避免電弧燒穿電力設備, **電力使用上的安全, 中壓開關柜內部通過吸和開關控制電路.開關吸合器需要檢漏中壓開關柜內部通過吸和開關控制電路, 吸合器內部真空環(huán)境, 如果有漏,

• KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP220濺射沉積 ZrAlN薄膜

  合金化是提高過渡族金屬氮化物薄膜硬度及抗磨損、耐腐蝕性能的有效方法。Al是常用合金化元素，能提高薄膜的硬度和抗高溫氧化性能。?北京某大學實驗室在對硬韌 ?ZrAlN 薄膜及薄膜力學性能研究中, 采用伯東?KRI?考夫曼射頻離子源?RFCIP220? 輔助磁控濺射沉積的方法在鈦合金和單晶 Si 上沉積不同 Al 含量的ZrAlN 薄膜.&n

• 氦質譜檢漏儀 MPCVD 檢漏, 實現金剛石膜制備

  氦質譜檢漏儀 MPCVD 檢漏, 實現金剛石膜制備微波等離子體化學氣相沉積法 Microwave Plasma CVD (MPCVD) 是目前**上被用于金剛石膜制備的公認方法. MPCVD 裝置將微波發(fā)生器產生的微波經波導傳輸系統(tǒng)進入反應器, 并通入甲烷與氫氣的混合氣體, 在微波的激發(fā)下, 在反應室內產生輝光放電, 使反應氣體的分子離化, 產生等離子體, 在基板臺上沉積得到金剛石膜. 上海伯東某