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氦質(zhì)譜檢漏儀 CVD 設(shè)備檢漏,滿足*三代半導(dǎo)體芯片量產(chǎn)
氦質(zhì)譜檢漏儀?CVD 設(shè)備檢漏, 滿足*三代半導(dǎo)體芯片量產(chǎn)上海伯東某客戶是一家以先進(jìn)化合物半導(dǎo)體光電器件相關(guān)產(chǎn)品衍生智造為主業(yè)的創(chuàng)新型科技公司, 核心產(chǎn)品是物聯(lián)網(wǎng), 5G 通訊, 安防監(jiān)控等*三代半導(dǎo)體芯片. 芯片在生產(chǎn)過程中使用 CVD 設(shè)備做鍍膜處理, 在鍍膜過程中需要保持設(shè)備處于高真空狀態(tài), 這就要求腔體的泄漏率不能過 1E-10 mbrl l/s.CVD?設(shè)備檢漏要
分子泵組與紅外光譜儀聯(lián)用進(jìn)行工業(yè)催化材料分析上海伯東德國 Pfeiffer 經(jīng)濟(jì)型分子泵組?Hicube 80 Eco 可搭配紅外光譜儀共同使用, 進(jìn)行工業(yè)催化的材料分析. 上海伯東客戶某大學(xué)實(shí)驗(yàn)室, 采用浸漬法進(jìn)行試驗(yàn), 為了提高浸漬量, 需要保證在真空環(huán)境下進(jìn)行, Pfeiffer?分子泵組?Hicube 80 Eco 是前級(jí)泵和分子泵的結(jié)合, 體積小巧, 即插即
氦質(zhì)譜檢漏儀高溫真空燒結(jié)爐氣密性泄露檢測(cè)
氦質(zhì)譜檢漏儀高溫真空燒結(jié)爐氣密性泄露檢測(cè)某客戶生產(chǎn)汽車過濾網(wǎng), 因高溫真空燒結(jié)爐氣密性不佳, 導(dǎo)致生產(chǎn)出的過濾網(wǎng)材料出現(xiàn)氧化質(zhì)量問題, 經(jīng)過上海伯東推薦, 選用氦質(zhì)譜檢漏儀?ASM 340W 對(duì)真空燒結(jié)爐進(jìn)行檢漏, 真空模式下, 漏率 5X10-10?mar l/s. 經(jīng)過檢漏后的真空爐, 生產(chǎn)出的過濾網(wǎng)材料無氧化, 達(dá)到客戶工藝要求.高溫真空燒結(jié)爐氦質(zhì)譜檢漏法:金屬 (粉末)
KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP220濺射沉積 ZrAlN薄膜
合金化是提高過渡族金屬氮化物薄膜硬度及抗磨損、耐腐蝕性能的有效方法。Al是常用合金化元素,能提高薄膜的硬度和抗高溫氧化性能。?北京某大學(xué)實(shí)驗(yàn)室在對(duì)硬韌 ?ZrAlN 薄膜及薄膜力學(xué)性能研究中, 采用伯東?KRI?考夫曼射頻離子源?RFCIP220? 輔助磁控濺射沉積的方法在鈦合金和單晶 Si 上沉積不同 Al 含量的ZrAlN 薄膜.&n
公司名: 伯東企業(yè)(上海)有限公司
聯(lián)系人: 葉南晶
電 話: 021-50463511
手 機(jī): 13918837267
微 信: 13918837267
地 址: 上海浦東高橋上海浦東新區(qū)新金橋路1888號(hào)36號(hào)樓7樓702室
郵 編:
網(wǎng) 址: hakuto2010.cn.b2b168.com
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