KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP220濺射沉積 ZrAlN薄膜

時(shí)間：2024-01-12作者：伯東企業(yè)（上海）有限公司瀏覽：73

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• 詞條

  詞條說(shuō)明

• KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP220濺射沉積 ZrAlN薄膜

  合金化是提高過(guò)渡族金屬氮化物薄膜硬度及抗磨損、耐腐蝕性能的有效方法。Al是常用合金化元素，能提高薄膜的硬度和抗高溫氧化性能。?北京某大學(xué)實(shí)驗(yàn)室在對(duì)硬韌 ?ZrAlN 薄膜及薄膜力學(xué)性能研究中, 采用伯東?KRI?考夫曼射頻離子源?RFCIP220? 輔助磁控濺射沉積的方法在鈦合金和單晶 Si 上沉積不同 Al 含量的ZrAlN 薄膜.&n

• KRi 考夫曼離子源表面預(yù)清潔 Pre-clean 應(yīng)用

  上海伯東代理美國(guó)?KRi 考夫曼離子源適用于安裝在 MBE 分子束外延, 濺射和蒸發(fā)系統(tǒng), PLD 脈沖激光系統(tǒng)等, 在沉積前用離子轟擊表面, 進(jìn)行預(yù)清潔 Pre-clean 的工藝, 對(duì)基材表面物清洗, 金屬氧化物的去除等, 提高沉積薄膜附著力, 純度, 應(yīng)力, 工藝效率等！KRi 離子源預(yù)清潔可以實(shí)現(xiàn)去除物理吸附污染: 去除表面污染, 如水, 吸附氣體, 碳?xì)浠衔餁埩羧コ瘜W(xué)吸附污

• KRI 考夫曼射頻離子源濺射沉積立方氮化硼薄膜

  立方氮化硼（cBN）由于具有高的硬度/ 好的化學(xué)惰性/ 較好的熱穩(wěn)定性/ 高的熱導(dǎo)率/ 在寬波長(zhǎng)范圍內(nèi)(約從 200nm 開(kāi)始) 有很好的透光性/ 可摻雜為 n 型和 p 型半導(dǎo)體等特點(diǎn), 在切削工具/ 材料/ 光學(xué)元件表面涂層/ 高溫/ 高頻/ 大功率/ 抗輻射電子器件/ 電路熱沉材料和絕緣涂覆層等方面具有很大的應(yīng)用潛力.?在對(duì)立方氮化硼 (cBN) 薄膜研究中, 西北某金屬研究所采用

• KRI 離子源應(yīng)用于舞臺(tái)燈光濾光片鍍膜

  ?? 舞臺(tái)燈光雖然呈現(xiàn)是五顏六色的,?但光源一般都是白色.?通過(guò)在光源前加上特定的光學(xué)濾光片,?對(duì)光進(jìn)行“加工”,?反射和透過(guò)特定的波段,?來(lái)達(dá)到不同的色彩變化.?加上顏色濾光片,?讓不同顏色的鏡片不停切換,?產(chǎn)生不同顏色.?而在光學(xué)元件或立基板上,?鍍上或涂布一層或多層介電質(zhì)膜