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高壓可控硅作為半導體功率器件的重要組成部分,在應對高電壓環(huán)境方面展現(xiàn)出**的性能,成為眾多工業(yè)和電力領域不可或缺的關鍵元件。本文將從性能特點、工作機制以及實際應用等角度,對高壓可控硅進行系統(tǒng)解析,并結(jié)合行業(yè)實踐探討其技術優(yōu)勢與發(fā)展前景。性能特點解析高壓可控硅具備出色的高電壓耐受能力,能夠在數(shù)千伏甚至更高的電壓環(huán)境下保持穩(wěn)定工作。其核心優(yōu)勢在于對電流的精確控制,通過調(diào)節(jié)控制較的觸發(fā)信號,實現(xiàn)導通與關
###?單向可控硅BT169D性能解析與應用實踐####?性能特征BT169D作為平面型塑封單向可控硅,其技術參數(shù)展現(xiàn)出的工程定位。在25℃環(huán)境溫度下,器件維持400V重復峰值電壓(VRRM)與4A通態(tài)平均電流(IT(AV))的平衡設計,浪涌電流承受能力達到40A(50Hz/10ms)。觸發(fā)特性方面,門觸發(fā)電流(IGT)典型值0.2mA,觸發(fā)電壓(VGT)不過1.5V,適用于低
曾是競爭對手 三星助高通生產(chǎn)Snapdragon芯片
請不要驚訝,你沒有看錯,在移動芯片市場,三星和高通曾經(jīng)是競爭對手,但是現(xiàn)在三星卻要幫助競爭對手高通生產(chǎn)28nm Snapdragon S4 SoC。 為什么會出現(xiàn)這樣的情況?原因是高通當前的制造商合作伙伴閩臺積體電路制造股份有限公司(簡稱臺積電)的生產(chǎn)速度趕不上市場需求,因此,高通不得不求助于三星電子和**半導體承包制造商聯(lián)華電子公司(UMC)。 聯(lián)華電子稱較早將在今年*四季度才能生產(chǎn)28nm S
單向可控硅SCRs(Silicon Controlled Rectifiers)作為半導體功率器件家族中的重要成員,在現(xiàn)代電子控制領域扮演著**的角色。深圳市凱高達科技有限公司作為一家專注于半導體功率器件研發(fā)與銷售的企業(yè),多年來深耕可控硅技術領域,憑借強大的研發(fā)實力和嚴格的質(zhì)量管控,為客戶提供性能**的單向可控硅產(chǎn)品,廣泛應用于各類電子控制系統(tǒng)中。單向可控硅SCRs的基本結(jié)構(gòu)與工作原理單向可控
公司名: 深圳市凱高達科技有限公司
聯(lián)系人: 鄧帥
電 話: 0755-23318548
手 機: 18927424648
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地 址: 廣東深圳寶安區(qū)寶安區(qū)新安街道39區(qū)13棟104
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