詞條
詞條說(shuō)明
? ? ? 可控硅模塊通常被稱之為功率半導(dǎo)體模塊(semiconductor module)。最早是在1970年率先將模塊原理引入電力電子技術(shù)領(lǐng)域,是采用模塊封裝形式,具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件。?? ? ? 可控硅模塊又叫晶閘管(Silicon Controlled Rectifier, SCR)。自從20世紀(jì)
在現(xiàn)代電力電子技術(shù)領(lǐng)域,富士IGBT模塊作為高端功率器件的重要組成部分,憑借其卓越的性能和可靠的質(zhì)量,成為眾多工業(yè)應(yīng)用的首選。本文將深入探討富士IGBT模塊的工作原理,幫助讀者更好地理解這一關(guān)鍵器件的工作機(jī)制及其在實(shí)際應(yīng)用中的優(yōu)勢(shì)。IGBT模塊的基本概念I(lǐng)GBT,即絕緣柵雙極型晶體管,是一種復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件。它結(jié)合了MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降優(yōu)點(diǎn),在電力電子設(shè)備
在現(xiàn)代電子技術(shù)飛速發(fā)展的今天,電力電子與工業(yè)控制領(lǐng)域?qū)υ骷目煽啃院托阅芤笕找嫣岣?。進(jìn)口吸收電容作為電子電路中的關(guān)鍵組件,其工作原理與應(yīng)用價(jià)值備受關(guān)注。本文將深入探討進(jìn)口吸收電容的工作原理,并解析其在高端應(yīng)用中的重要性。什么是吸收電容?吸收電容,顧名思義,是一種專門用于“吸收”電路中瞬態(tài)能量的被動(dòng)元件。它通常并聯(lián)在開關(guān)器件(如IGBT、可控硅或MOSFET)兩端,或放置在電路的關(guān)鍵節(jié)點(diǎn)上。其主
西門康IGBT模塊:電力電子領(lǐng)域的核心動(dòng)力在現(xiàn)代工業(yè)自動(dòng)化和新能源發(fā)展的浪潮中,西門康IGBT模塊作為電力電子轉(zhuǎn)換與控制領(lǐng)域的重要元件,正發(fā)揮著越來(lái)越關(guān)鍵的作用。作為一家專業(yè)銷售國(guó)際知名品牌功率半導(dǎo)體器件的企業(yè),我們深知西門康IGBT模塊在各類工業(yè)應(yīng)用中的核心價(jià)值。西門康作為全球知名的功率半導(dǎo)體供應(yīng)商,憑借其強(qiáng)大的技術(shù)實(shí)力和卓越的產(chǎn)品性能,已成為行業(yè)內(nèi)不可或缺的重要品牌。IGBT(絕緣柵雙極型晶
公司名: 昆山奇沃電子有限公司
聯(lián)系人: 林志勝
電 話: 0512-50111678
手 機(jī): 18962647678
微 信: 18962647678
地 址: 江蘇蘇州昆山市昆山市玉山鎮(zhèn)富士康路932號(hào)
郵 編:
網(wǎng) 址: qiwodz.cn.b2b168.com
公司名: 昆山奇沃電子有限公司
聯(lián)系人: 林志勝
手 機(jī): 18962647678
電 話: 0512-50111678
地 址: 江蘇蘇州昆山市昆山市玉山鎮(zhèn)富士康路932號(hào)
郵 編:
網(wǎng) 址: qiwodz.cn.b2b168.com