海力士晶片矽晶圓廢品回收

時間：2023-05-12作者：龐博電子有限公司（中國香港）瀏覽：69

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  骨架晶圓不良芯片國內(nèi)回收不良芯片 不良芯片 不良芯片 MOS管型防反接保護(hù)電路利用了MOS管的開關(guān)特性，控制電路的導(dǎo)通和斷開來設(shè)計防反接保護(hù)電路，由于功率MOS管的內(nèi)阻很小，現(xiàn)在MOSFETRds（on）已經(jīng)能夠做到毫歐級，解決了現(xiàn)有采用二極管電源防反接方案存在的壓降和功耗過大的問題。極性反接保護(hù)將保護(hù)用場效應(yīng)管與被保護(hù)電路串聯(lián)連接。一旦被保護(hù)電路的電源極性反接，保護(hù)用場效應(yīng)管會形成斷路，防止電流

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