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可控硅的好壞如何判斷?


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  • 詞條

    詞條說(shuō)明

  • 英飛凌各代IGBT模塊技術(shù)詳解

    # IGBT模塊技術(shù)的演進(jìn)與未來(lái)趨勢(shì)## IGBT技術(shù)發(fā)展歷程IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)模塊技術(shù)自問(wèn)世以來(lái)經(jīng)歷了多次重大革新。早期產(chǎn)品采用平面柵結(jié)構(gòu),開關(guān)速度相對(duì)較慢,導(dǎo)通損耗較高。隨著工藝進(jìn)步,溝槽柵技術(shù)應(yīng)運(yùn)而生,顯著降低了導(dǎo)通壓降,提高了開關(guān)頻率。第三代IGBT引入場(chǎng)終止技術(shù),使芯片厚度大幅減小,同時(shí)保持了良好的阻斷電壓能力。近年來(lái)出現(xiàn)的第七代IGBT模塊在功率密度方面取得突破,單位面積電

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