可控硅SKKT162/22EH4 西門康全新原裝進(jìn)口 現(xiàn)貨新批次

時(shí)間：2023-06-05作者：上海寅涵智能科技發(fā)展有限公司瀏覽：44

上海寅涵智能科技發(fā)展有限公司專注于IGBT模塊,二極管,熔斷器,可控硅,晶閘管等

• 詞條

  詞條說明

• IGBT模塊是什么？

  IG是Insulated Gate Bipolar Transistor（絕緣柵雙較型晶體管）的縮寫，IG是由MOSFET和雙較型晶體管復(fù)合而成的一種器件，其輸入較為MOSFET，輸出較為PNP晶體管，它融和了這兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，既具有MOSFET器件驅(qū)動(dòng)功率小和開關(guān)速度快的優(yōu)點(diǎn)，又具有雙較型器件飽和壓降低而容量大的優(yōu)點(diǎn)，其頻率特性介于MOSFET與功率晶體管之間，可正常工作于幾十kHz頻率范圍內(nèi)，

• 二極管的極性？

  1、正向性外加正向電壓時(shí)，在正向特性的起始部分，正向電壓很小，不足以克服PN結(jié)內(nèi)電場(chǎng)的阻擋作用，正向電流幾乎為零，這一段稱為死區(qū)。這個(gè)不能使二極管導(dǎo)通的正向電壓稱為死區(qū)電壓。當(dāng)正向電壓大于死區(qū)電壓以后，PN結(jié)內(nèi)電場(chǎng)被克服，二極管正向?qū)?，電流隨電壓增大而迅速上升。在正常使用的電流范圍內(nèi)，導(dǎo)通時(shí)二極管的端電壓幾乎維持不變，這個(gè)電壓稱為二極管的正向電壓。2、反向性外加反向電壓不**過一定范圍時(shí)，通過二較

• IGBT模塊該怎樣去選擇呢？

  IGBT模塊的電壓規(guī)格與所使用裝置的輸入電源即試電電源電壓緊密相關(guān)。使用中當(dāng)IGBT模塊集電極電流增大時(shí)，所產(chǎn)生的額定損耗亦變大。同時(shí)，開關(guān)損耗增大，使原件發(fā)熱加劇，因此，選用IGBT模塊時(shí)額定電流應(yīng)大于負(fù)載電流。特別是用作高頻開關(guān)時(shí)，由于開關(guān)損耗增大，發(fā)熱加劇，選用時(shí)應(yīng)該降等使用。

• 7MBP150TEA060-50 富士igbt芯片可控硅驅(qū)動(dòng)

  上海寅涵智能科技發(fā)展有限公司代理功率半導(dǎo)體產(chǎn)品及配套器件，IGBT以及配套驅(qū)動(dòng)專業(yè)網(wǎng)上供應(yīng)商。公司憑借多年的從業(yè)經(jīng)驗(yàn)、不懈的開拓精神及良好的商業(yè)信譽(yù)，在電力電子行業(yè)樹立了良好的企業(yè)形象，同時(shí)與多家電力電子企業(yè)和上市公司長(zhǎng)期保持著穩(wěn)定互信的合作關(guān)系，也是眾多電子廠商（英飛凌/Infineon凌、西門康/Semikron，艾塞斯/IXYS、富士/Fuji、三菱/Mitsubishi 、瑞士ABB，We