詞條
詞條說(shuō)明
小家電方案CR3215A,內(nèi)置650V高雪崩能力功率MOS
方案CR3215A中的內(nèi)置650V高雪崩能力功率MOS是一種高性能的電子元件,具有以下特點(diǎn):* 650V高電壓,可以承受較高的電壓,因此具有較高的功率輸出能力。* 內(nèi)置高雪崩能力,可以承受較高的電流,并且在發(fā)生雪崩時(shí)不會(huì)損壞,提高了電路的穩(wěn)定性和可靠性。* 內(nèi)置MOS的開(kāi)關(guān)速度非???,可以實(shí)現(xiàn)高效率的轉(zhuǎn)換,減少了能量損失,因此是一種理想的功率半導(dǎo)體器件。該MOS還具有體積小、耐高溫、可靠性高等優(yōu)點(diǎn)
支持高低亮工作模式芯片,大功率LED燈泡芯片方案,OC5138
OC5138確實(shí)是一款支持高低亮工作模式的芯片,非常適合用于大功率LED燈泡的驅(qū)動(dòng)方案。這款芯片內(nèi)置了90V功率MOS,具有率和的特點(diǎn),使得它成為大功率LED應(yīng)用的理想選擇。 OC5138采用了固定頻率的PWM工作模式,其典型工作頻率為140KHz,這有助于實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定的LED亮度控制。同時(shí),該芯片還采用了平均電流檢測(cè)模式,具有優(yōu)異的負(fù)載調(diào)整率特性,可以在不同的工作條件下保持穩(wěn)定的性能。 在高低亮工作
氮化鎵是一種重要的半導(dǎo)體材料,因其*特的物理和化學(xué)特性而被廣泛應(yīng)用于電子、光電子和微波通信等領(lǐng)域。關(guān)于2英寸氮化鎵和33w氮化鎵,這些都是氮化鎵材料在不同尺寸和功率規(guī)格下的應(yīng)用。 2英寸氮化鎵通常指的是直徑為2英寸的氮化鎵晶圓或晶片,這是半導(dǎo)體制造過(guò)程中的重要材料。由于氮化鎵具有優(yōu)異的電學(xué)性能和穩(wěn)定性,因此被廣泛應(yīng)用于高功率電子器件、LED照明、激光器和微波通信等領(lǐng)域。 而33w氮化鎵則是指功率為
開(kāi)關(guān)電源方案CR1252,輸入176-264V,輸出12V20A
開(kāi)關(guān)電源方案CR1252的輸入范圍為176-264V,輸出為12V20A。具體方案如下:1. 電源芯片選擇:選擇一款具有較高效率、低待機(jī)功耗、高可靠性和高耐壓的開(kāi)關(guān)電源芯片,如CR1252。2. 輸入電路設(shè)計(jì):由于輸入電壓范圍較寬,需要設(shè)計(jì)一個(gè)輸入電壓調(diào)節(jié)電路,將輸入電壓穩(wěn)定在適合芯片工作的范圍內(nèi)。同時(shí),需要考慮到輸入電壓的波動(dòng)和干擾問(wèn)題,采取相應(yīng)的濾波和抗干擾措施。3. 輸出電路設(shè)計(jì):根據(jù)輸出電
公司名: 久宇盛電子(深圳)有限公司
聯(lián)系人: 周敏
電 話:
手 機(jī): 13318386410
微 信: 13318386410
地 址: 廣東佛山南海區(qū)深圳市龍崗區(qū)南灣街道寶丹路18號(hào)彩鳳工業(yè)園A棟5樓之一
郵 編:
網(wǎng) 址: jys888.b2b168.com
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直流電源,直流穩(wěn)壓電源,可編程直流測(cè)試電源
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