【可控硅模塊】可控硅模塊分類(lèi)

時(shí)間：2021-09-13作者：上海秦邦電子科技有限公司瀏覽：418

上海秦邦電子科技有限公司專(zhuān)注于可控硅模塊,英飛凌IGBT模塊,二極管模塊,整流橋模塊,熔斷器保險(xiǎn)絲,進(jìn)口晶閘管,德國(guó)西門(mén)康可控硅等, 歡迎致電 15995613456

• 詞條

  詞條說(shuō)明

• 晶閘管的種類(lèi)、特點(diǎn)及用途

  晶閘管由硅單晶材料制成PN三端組件具有單向?qū)ㄐ?、電壓和電流控制、小?qū)動(dòng)（毫安級(jí)）控制大功率負(fù)載。由于其特點(diǎn)，常用于可控整流、逆變器、無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)、交流壓力調(diào)節(jié)等方面。除了普通的晶閘管外，由于不同場(chǎng)合的使用要求，還產(chǎn)生了各種類(lèi)型的晶閘管。普通晶閘管1.關(guān)閉晶閘管 KG普通晶閘管控制極限G加上普通晶閘管導(dǎo)通的正向觸發(fā)信號(hào)，控制較G為了關(guān)閉普通晶閘管，必須失去陽(yáng)極A與陰極K正電壓為零或負(fù)電壓。只要控制較

• 【可控硅模塊】分類(lèi)

  可控硅模塊通常被稱(chēng)之為功率半導(dǎo)體模塊(semiconductor?module)。較早是在1970年由西門(mén)康公司率先將模塊原理引入電力電子技術(shù)領(lǐng)域，是采用模塊封裝形式，具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件?？煽毓枘K從內(nèi)部封裝芯片上可以分為可控模塊和整流模塊兩大類(lèi)；從具體的用途上區(qū)分，可以分為：普通晶閘管模塊（MTC\MTX\MTK\MTA)、普通整流管模塊(MDC)、普通晶閘管、

• 【英飛凌IGBT模塊】IGBT簡(jiǎn)介

  IGBT簡(jiǎn)介IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙較型晶體管，是由BJT(雙較型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大；MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開(kāi)關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上

• 【德國(guó)西門(mén)康可控硅】可控硅結(jié)構(gòu)

  可控硅結(jié)構(gòu)大家使用的是單向晶閘管，也就是人們常說(shuō)的普通晶閘管，它是由四層半導(dǎo)體材料組成的，有三個(gè)PN結(jié)，對(duì)外有三個(gè)電極〔圖2(a）〕：**層P型半導(dǎo)體引出的電極叫陽(yáng)極A，*三層P型半導(dǎo)體引出的電極叫控制較G，*四層N型半導(dǎo)體引出的電極叫陰極K。從晶閘管的電路符號(hào)〔圖2(b）〕可以看到，它和二極管一樣是一種單方向?qū)щ姷钠骷?，關(guān)鍵是多了一個(gè)控制較G，這就使它具有與二極管完全不同的工作特性。以硅單晶為基