鹽城西門康可控硅的主要作用是什么？

時間：2025-11-27作者：昆山奇沃電子有限公司瀏覽：173

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• 詞條

  詞條說明

• 可控硅壞的原因及維護方法

  可控硅壞的原因：1、電壓擊穿可控硅因不能承受電壓而損壞，其芯片中有一個光潔的小孔，有時需用擴大鏡才能看見。其原因可能是管子本身耐壓下降或被電路斷開時產(chǎn)生的高電壓擊穿。2、電流損壞電流損壞的痕跡特征是芯片被燒成一個凹坑，且粗糙，其位置在遠離控制極上。3、電流上升率損壞其痕跡與電流損壞相同，而其位置在控制極附近或就在控制極上。4、邊緣損壞他發(fā)生在芯片外圓倒角處，有細小光潔小孔。用放大鏡可看到倒角面上有

• 【進口吸收電容】吸收電容作用

  吸收電容在電路中起的作用類似于低通濾波器，可以吸收掉尖峰電壓。通常用在有絕緣柵雙極型晶體管（IGBT），消除由于母排的雜散電感引起的尖峰電壓，避免絕緣柵雙極型晶體管的損壞。母線電感以及緩沖電路及其元件內(nèi)部的雜散電感，對IGBT 電路尤其是大功率IGBT 電路，有極大的影響。因此，希望它愈小愈好。要減小這些電感，需從多方面入手。第一，直流母線要盡量地短；第二，緩沖電路要盡可能地貼近模塊；第三，選用

• 蘇州英飛凌IGBT模塊

  ## IGBT模塊：電力電子領(lǐng)域的核心器件 IGBT模塊作為現(xiàn)代電力電子技術(shù)的核心部件，其性能直接影響著電能轉(zhuǎn)換的效率與可靠性。這種由絕緣柵雙極型晶體管構(gòu)成的功率半導(dǎo)體器件，兼具MOSFET的高輸入阻抗和BJT的低導(dǎo)通壓降特性，在工業(yè)變頻器、新能源發(fā)電、電動汽車等領(lǐng)域展現(xiàn)出不可替代的價值。 高效能功率轉(zhuǎn)換是IGBT模塊最顯著的技術(shù)特征。通過優(yōu)化溝槽柵結(jié)構(gòu)和減薄晶圓工藝，當代IGBT模塊的導(dǎo)通損耗較

• 【熔斷器供應(yīng)商】熔斷器常見種類

  熔斷器（fuse）是指當電流超過規(guī)定值時，以本身產(chǎn)生的熱量使熔體熔斷，斷開電路的一種電器。熔斷器是根據(jù)電流超過規(guī)定值一段時間后，以其自身產(chǎn)生的熱量使熔體熔化，從而使電路斷開；運用這種原理制成的一種電流保護器。熔斷器廣泛應(yīng)用于高低壓配電系統(tǒng)和控制系統(tǒng)以及用電設(shè)備中，作為短路和過電流的保護器，是應(yīng)用最普遍的保護器件之一。熔斷器常見種類插入式熔斷器：它常用于380V及以下電壓等級的線路末端，作為配電支線