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氦質(zhì)譜檢漏儀 CVD 設(shè)備檢漏,滿足*三代半導體芯片量產(chǎn)
氦質(zhì)譜檢漏儀?CVD 設(shè)備檢漏, 滿足*三代半導體芯片量產(chǎn)上海伯東某客戶是一家以**化合物半導體光電器件相關(guān)產(chǎn)品衍生智造為主業(yè)的創(chuàng)新型科技公司, **產(chǎn)品是物聯(lián)網(wǎng), 5G 通訊, 安防監(jiān)控等*三代半導體芯片. 芯片在生產(chǎn)過程中使用 CVD 設(shè)備做鍍膜處理, 在鍍膜過程中需要保持設(shè)備處于高真空狀態(tài), 這就要求腔體的泄漏率不能過 1E-10 mbrl l/s.CVD?設(shè)備檢漏要
殘余氣體分析儀應(yīng)用于高溫真空爐, 實現(xiàn)質(zhì)量保證和過程優(yōu)化
殘余氣體分析儀應(yīng)用于高溫真空爐, 實現(xiàn)質(zhì)量保證和過程優(yōu)化上海伯東某客戶生產(chǎn)研發(fā) X 射線管及組件, 使用德國 Pfeiffer?Hicube RGA 殘余氣體分析儀與高溫真空爐連接, 測試產(chǎn)品在不同溫度下?lián)]發(fā)的產(chǎn)物變化, 進一步分析產(chǎn)品的耐用性以及使用形態(tài). 實現(xiàn)真空過程相關(guān)的質(zhì)量控制, 滿足 X 射線管工藝要求.殘余氣體分析儀質(zhì)量保證和過程優(yōu)化諸如提供氣體成分定量測定, 確定過程氣體純
Pfeiffer?分子泵組應(yīng)用于紅外原位分析平臺紅外原位瞬態(tài)反應(yīng)過程分析實驗平臺是與世界實驗室同步水平研究的變溫變壓綜合實驗設(shè)備, 由原位吸附高真空系統(tǒng), 低溫系統(tǒng), 氣液物料, 探針凈化控制系統(tǒng)和壓力突變等部件組成, 可用于開展樣品的熱脫附, 熱解, 探針分子飽和吸附和探針分子脈沖微吸附等復雜反應(yīng)過程研究.紅外原位分析平臺的主要特點是對固體材料進行嚴格的高真空和高溫預處理, 可在高真空
上海伯東美國?HVA 真空閥門選型實例產(chǎn)品系列特點口徑HVA 真空閘閥 11000 系列介面, 控制方式全包括DN 16 到 DN 600HVA 真空層流閘閥 13000系列防腐蝕DN 40 到 DN 300HVA 真空層流閘閥 16000系列防顆粒污染DN 40 到 DN 350HVA 矩形閥 21200 系列長使用壽命DN 16 到 DN 300HVA 3位真空閘閥 21700系列
公司名: 伯東企業(yè)(上海)有限公司
聯(lián)系人: 葉南晶
電 話: 021-50463511
手 機: 13918837267
微 信: 13918837267
地 址: 上海浦東高橋上海浦東新區(qū)新金橋路1888號36號樓7樓702室
郵 編:
網(wǎng) 址: hakuto2010.cn.b2b168.com
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