硅片切割公司

時間：2020-08-07

作者：北京華諾恒宇光能科技有限公司

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硅片精密切割操作中會出現(xiàn)哪些問題
硅片精密切割操作中會出現(xiàn)哪些問題硅片切割要求很高，而且切割機的技術(shù)水平非常優(yōu)秀，才能制作出**的作品。硅片切割本身并不是一件容易的事情，其中會有問題。我們在操作中要注意。1、雜質(zhì)線痕：由多晶硅錠內(nèi)雜質(zhì)引起，在切片過程中無法完全去除，導致硅片上產(chǎn)生相關(guān)線痕。2、劃傷線痕：由砂漿中的SIC大顆粒或砂漿結(jié)塊引起。切割過程中，SIC顆?！翱ā痹阡摼€與硅片之間，無法溢出，造成線痕。表現(xiàn)形式：包括整條線痕和半
【激光蝕刻】激光蝕刻優(yōu)勢
首先我們來看看激光蝕刻的制成程序1，CAD制作蝕刻圖紙，2，自動上料?3，激光蝕刻下料完成，全程非接觸，*輔材，無廢氣廢水排放，在成本優(yōu)勢方面，激光蝕刻有著不可代替的優(yōu)勢，但是對于大型的工廠來說，要想一下子更換設(shè)備，更換工藝，也是一件很難的事，首先淘汰花重金買來的酸蝕產(chǎn)線，就需要勇氣，在花重金買來激光產(chǎn)線這就需要白花花的銀子了，重點在于在更換產(chǎn)線同時客戶的交貨，新工藝對產(chǎn)品影響的評估
單晶硅片切割技術(shù)發(fā)展趨勢分析
單晶硅片切割技術(shù)發(fā)展趨勢分析硅片薄片化不僅有效降低了硅材料的消耗，而且體現(xiàn)了硅片的柔韌性，給電池和組件端帶來了更多的可能性。硅片薄片化不僅受切片設(shè)備、金剛線、工藝等的限制，還受到電池和組件技術(shù)的需求變化。例如，異質(zhì)結(jié)電池（HIT）的對稱結(jié)構(gòu)。低溫或無應力工藝可以完全適應較薄的硅片，其效率不受厚度的影響。即使減少到100μm左右，短路電流ISC的損失也可以通過開路電壓VOC得到補償。切割薄片需要對切
激光切割的這些基礎(chǔ)知識，你必須掌握
激光切割當聚焦的激光束照到工件上時，照射區(qū)域會急劇升溫以使材料熔化或者氣化。一旦激光束穿透工件，切割過程就開始了：激光束沿著輪廓線移動，同時將材料熔化。通常會用一股噴射氣流將熔融物從切口吹走，在切割部分和板架間留下一條窄縫，窄縫幾乎與聚焦的激光束等寬?；鹧媲懈罨鹧媲懈钍乔懈畹吞间摃r采用的一種標準工藝，采用氧氣作為切割氣體。氧氣加壓到高達 6 bar 后吹進切口。在那里，被加熱的金屬與氧氣發(fā)生反應：