真空探針臺優(yōu)勢和適用于那些科研

時間：2023-10-07

作者：鄭州科探儀器設備有限公司

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PVD制備K型薄膜熱電偶的研究
熱電偶元件是在工業(yè)、科研中廣泛使用的一種溫度傳感器,具有測溫范圍廣,堅固耐用,無自發(fā)熱現(xiàn)象,使用方便等優(yōu)點。薄膜熱電偶除了繼承上述普通熱電偶的優(yōu)點外,還具有熱容小,響應速度快,幾乎不占用空間,對被測物體影響小的優(yōu)點。本研究為制備K型薄膜熱電偶選擇了電子束蒸發(fā)鍍,磁控濺射,多弧離子鍍?nèi)NPVD方法。其中一部分樣片的NiCr/NiSi薄膜均由磁控濺射均由磁控濺射沉積,另一部分樣片的NiCr薄膜由磁控濺
真空探針臺優(yōu)勢和適用于那些科研
KT-Z1604T探針臺主要應用于傳感器，半導體，光電，集成電路以及封裝的測試。廣泛應用于復雜、高速器件的精密電氣測量的研發(fā)，旨在確保質(zhì)量及可靠性，并縮減研發(fā)時間和器件制造工藝的成本。??? 該探針臺的承載臺為60x60不銹鋼臺面，臺面較高可升溫到較高350℃。真空腔體設計有進氣口和抽真空接口。探針臂為X/Y/Z三軸移動，三個方向均可在真空環(huán)境下精密移位調(diào)節(jié)，其中X
快速退火爐系統(tǒng)設計與實現(xiàn)
快速退火爐是現(xiàn)代大規(guī)模集成電路生產(chǎn)工藝過程中的關鍵裝備? ? ?主要用于離子注入后雜質(zhì)的、淺結(jié)制作、生長高質(zhì)量的氧化膜層和金屬硅化物合金形成等工藝。隨著集成電路工藝技術(shù)的飛速發(fā)展,開展快速退火爐系統(tǒng)的技術(shù)研究,對國內(nèi)開發(fā)和研究具有自主知識產(chǎn)權(quán)的快速退火爐裝備,有著十分重要的理論意義和工程應用**。? ? ? 本文針對現(xiàn)代半導體器件退火工藝
濕度和氣體濃度實驗設備產(chǎn)品優(yōu)勢
這個帶有濕度控制的氣體濃度發(fā)生器具有一系列強大的功能和性能參數(shù)，特別適合需要在高濕度和寬范圍氣體濃度中準確控制和檢測的應用。以下是一些關鍵的性能參數(shù)和特性：- AI智能控制算法：采用的AI智能控制算法，能夠在大范圍的氣體濃度比例下準確穩(wěn)定地控制氣體濕度。- 寬廣的濃度稀釋范圍：該設備的濃度稀釋范圍為1-5000倍，適應各種應用環(huán)境。- 流量檢測：流量檢測精度可達到±1% F.S，流量線性為±0.2