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失效分析常用方法匯總 芯片在設計生產使用各環(huán)節(jié)都有可能出現(xiàn)失效,失效分析伴隨芯片全流程。 這里根據(jù)北軟檢測失效分析實驗室經(jīng)驗,為大家總結了失效分析方法和分析流程,供大家參考。 一、C-SAM(超聲波掃描顯微鏡),屬于無損檢查: 檢測內容包含: 1.材料內部的晶格結構、雜質顆粒、夾雜物、沉淀物 2.內部裂紋 3.分層缺陷 4.空洞、氣泡、空隙等。 二、 X-Ray(X光檢測),屬于無損檢查: X-R
[封裝失效分析系列一] IC封裝失效分析實驗室 近年來,隨著半導體技術的不斷發(fā)展,繼續(xù)減小線寬的投入與其回報相比變得越來越不劃算。業(yè)界大佬Intel的10nm工藝預計將在2017年Q3亮相,這個時間點明顯已經(jīng)偏離摩爾定律。高度集成化的芯片,如SoC(systemon chip)的設計與流片成本過高,使得近些年SiP(System in Package)逐漸受到熱捧。通過不同種類芯片及封裝顆粒之間的
Decap開封類型原理及應用 儀準 AA探針臺 轉載請寫明出處Decap即開封,也稱開蓋,開帽,指給完整封裝的IC做*局部腐蝕,使得IC可以暴露出來,同時保持芯片功能的完整無損, 保持 die, bond pads, bond wires乃至lead-frame不受損傷, 為下一步芯片失效分析實驗做準備,方便觀察或做其他測試(如FIB,EMMI),Decap后功能正常。 去封范圍:普通封裝 COB
儀準科技有限公司是一家專業(yè)的半導體分析設備的整合商,產品涵蓋半導體、LCD (TFT)、LED、太陽能等高科技領域。 近年來,金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)已經(jīng)成為切換電源的主要功率元件,從場效應晶體管 (FET)、雙極性結式晶體管(BJT)、MOSFET、到絕緣閘較雙較晶體管(IGBT),現(xiàn)在出現(xiàn)了氮化鎵(GaN),可讓切換電源的體積大幅縮小。 例如,納微半導體(Navitas)推出
公司名: 儀準科技(北京)有限公司
聯(lián)系人: 趙
電 話: 01082825511-869
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地 址: 北京海淀中關村東升科技園
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