【技術(shù)】硅片切割膠面崩邊問(wèn)題分析研究

時(shí)間：2022-01-16作者：北京華諾恒宇光能科技有限公司瀏覽：1410

北京華諾恒宇光能科技有限公司專注于硅片精密切割,**薄金屬精密切割,墊片閥片切割等

• 詞條

  詞條說(shuō)明

• 【硅片切割】硅片怎么清潔？

  介紹半導(dǎo)體器件生產(chǎn)中硅片須經(jīng)嚴(yán)格清洗。微量污染也會(huì)導(dǎo)致器件失效。清洗的目的在于清除表面污染雜質(zhì)，包括**物和無(wú)機(jī)物。這些雜質(zhì)有的以原子狀態(tài)或離子狀態(tài)，有的以薄膜形式或顆粒形式存在于硅片表面。**污染包括光刻膠、**溶劑殘留物、合成蠟和人接觸器件、工具、器皿帶來(lái)的油脂或纖維。無(wú)機(jī)污染包括重金屬金、銅、鐵、鉻等，嚴(yán)重影響少數(shù)載流子壽命和表面電導(dǎo)；堿金屬如鈉等，引起嚴(yán)重漏電；顆粒污染包括硅渣、塵埃、細(xì)菌

• 【激光蝕刻】蝕刻需要注意的問(wèn)題

  減少側(cè)蝕和突沿，提高蝕刻系數(shù)側(cè)蝕產(chǎn)生突沿。通常印制板在蝕刻液中的時(shí)間越長(zhǎng)，（或者使用老式的左右搖擺蝕刻機(jī)）側(cè)蝕越嚴(yán)重。側(cè)蝕嚴(yán)重影響印制導(dǎo)線的精度，嚴(yán)重側(cè)蝕將使制作精細(xì)導(dǎo)線成為不可能。當(dāng)側(cè)蝕和突沿降低時(shí)，蝕刻系數(shù)就升高，高的蝕刻系數(shù)表示有保持細(xì)導(dǎo)線的能力，使蝕刻后的導(dǎo)線接近原圖尺寸。電鍍蝕刻抗蝕劑無(wú)論是錫－鉛合金，錫，錫－鎳合金或鎳，突沿過(guò)度都會(huì)造成導(dǎo)線短路。因?yàn)橥谎厝菀讛嗔严聛?lái)，在導(dǎo)線的兩點(diǎn)之間形

• 【激光蝕刻】激光技術(shù)歷史發(fā)展

  激光具有單色性好、方向性強(qiáng)、亮度高等特點(diǎn)?，F(xiàn)已發(fā)現(xiàn)的激光工作物質(zhì)有幾千種，波長(zhǎng)范圍從軟X射線到遠(yuǎn)紅外。?激光技術(shù)的**是激光器，激光器的種類很多，可按工作物質(zhì)、激勵(lì)方式、運(yùn)轉(zhuǎn)方式、工作波長(zhǎng)等不同方法分類。根據(jù)不同的使用要求，采取一些專門的技術(shù)提高輸出激光的光束質(zhì)量和單項(xiàng)技術(shù)指標(biāo)，比較廣泛應(yīng)用的單元技術(shù)有共振腔設(shè)計(jì)與選模、倍頻、調(diào)諧、Q開(kāi)關(guān)、鎖模、穩(wěn)頻和放大技術(shù)等。為了滿足軍事應(yīng)用的需要，

• 硅片切割一般有什么難點(diǎn)

  硅片切割一般有什么難點(diǎn)1、雜質(zhì)線痕：由多晶硅錠內(nèi)雜質(zhì)引起，在切片過(guò)程中無(wú)法完全去除，導(dǎo)致硅片上產(chǎn)生相關(guān)線痕。2、劃傷線痕：由砂漿中的SIC大顆?；蛏皾{結(jié)塊引起。切割過(guò)程中，SIC顆?！翱ā痹阡摼€與硅片之間，無(wú)法溢出，造成線痕。 表現(xiàn)形式：包括整條線痕和半截線痕，內(nèi)凹，線痕發(fā)亮，較其它線痕較加窄細(xì)。 3、密布線痕（密集型線痕）：由于砂漿的磨削能力不夠或者切片機(jī)砂漿回路系統(tǒng)問(wèn)題，造成硅片上出現(xiàn)密集線痕