芯片失效分析流程

時間：2020-03-24作者：儀準(zhǔn)科技（北京）有限公司瀏覽：156

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  詞條說明

• 白話芯片漏電定位方法科普

  白話芯片漏電定位方法科普 原創(chuàng) 儀準(zhǔn)科技 王福成 轉(zhuǎn)載請寫明出處 芯片漏電是失效分析案例中較常見的，找到漏電位置是查明失效原因的前提，液晶漏電定位、EMMI（CCD\InGaAs）、激光誘導(dǎo)等手段是工程人員經(jīng)常采用的手段。多年來，在中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)有個誤區(qū)，認(rèn)為激光誘導(dǎo)手段就是OBIRCH。今日小編為大家科普一下激光誘導(dǎo)（laser scan Microscope). 目前激光誘導(dǎo)功能在業(yè)內(nèi)普遍被采

• 失效分析含義和具體操作

  失效分析技術(shù)，失效分析實驗室，失效機(jī)制是導(dǎo)致零件、元器件和材料失效的物理或化學(xué)過程。此過程的誘發(fā)因素有內(nèi)部的和外部的。在研究失效機(jī)制時，通常先從外部誘發(fā)因素和失效表現(xiàn)形式入手，進(jìn)而再研究較隱蔽的內(nèi)在因素。在研究批量性失效規(guī)律時，常用數(shù)理統(tǒng)計方法，構(gòu)成表示失效機(jī)制、失效方式或失效部位與失效頻度、失效百分比或失效經(jīng)濟(jì)損失之間關(guān)系的排列圖或帕雷托圖，以找出必須首先解決的主要失效機(jī)制、方位和部位。任一產(chǎn)品

• 熱插拔帶來的EOS損壞

  熱插拔帶來的EOS損壞 \使用USB接口的產(chǎn)品，如果熱插拔設(shè)計存在問題的話，*帶來EOS破壞。 產(chǎn)品熱插拔的時候，可能會帶來瞬時的大電流，這種大電流，是一種震蕩波，首先，可能直接破壞芯片或器件，而是激發(fā)芯片產(chǎn)生大電流的latchup效應(yīng)，最后燒壞芯片或器件。 某產(chǎn)品試用時，插拔時頻頻出現(xiàn)損壞，經(jīng)過比對電性分析，發(fā)現(xiàn)電性明顯異常，進(jìn)行EMMI測試，發(fā)現(xiàn)芯片表面異常亮點，在顯微鏡下，發(fā)現(xiàn)鋁線燒損，判

• 晶柱切片后處理

  《晶柱切片后處理》 硅晶柱長成后，整個晶圓的制作才到了一半，接下必須將晶柱做裁切與檢測，裁切掉頭尾的晶棒將會進(jìn)行外徑研磨、切片等一連串的處理，最后才能成為一片片價值非凡的晶圓，以下將對晶柱的后處理制程做介紹。 切片（Slicing） 長久以來經(jīng)援切片都是采用內(nèi)徑鋸，其鋸片是一環(huán)狀薄葉片，內(nèi)徑邊緣鑲有鉆石顆粒，晶棒在切片前預(yù)先黏貼一石墨板，不僅有利于切片的夾持，更可以避免在最后切斷階段時鋸片離開晶棒