失效分析fib

時(shí)間：2020-03-25作者：儀準(zhǔn)科技（北京）有限公司瀏覽：121

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• 聚焦離子束FIB詳細(xì)介紹

  聚焦離子束FIB詳解 1.引言 隨著納米科技的發(fā)展，納米尺度制造業(yè)發(fā)展*，而納米加工就是納米制造業(yè)的**部分，納米加工的代表性方法就是聚焦離子束。近年來發(fā)展起來的聚焦離子束（FIB）技術(shù)利用高強(qiáng)度聚焦離子束對(duì)材料進(jìn)行納米加工，配合掃描電鏡（SEM）等高倍數(shù)電子顯微鏡實(shí)時(shí)觀察，成為了納米級(jí)分析、制造的主要方法。目前已廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體集成電路修改、切割和故障分析等。 2.工作原理 聚焦離子束(ed

• 熱插拔帶來的EOS損壞

  熱插拔帶來的EOS損壞 \使用USB接口的產(chǎn)品，如果熱插拔設(shè)計(jì)存在問題的話，*帶來EOS破壞。 產(chǎn)品熱插拔的時(shí)候，可能會(huì)帶來瞬時(shí)的大電流，這種大電流，是一種震蕩波，首先，可能直接破壞芯片或器件，而是激發(fā)芯片產(chǎn)生大電流的latchup效應(yīng)，最后燒壞芯片或器件。 某產(chǎn)品試用時(shí)，插拔時(shí)頻頻出現(xiàn)損壞，經(jīng)過比對(duì)電性分析，發(fā)現(xiàn)電性明顯異常，進(jìn)行EMMI測(cè)試，發(fā)現(xiàn)芯片表面異常亮點(diǎn)，在顯微鏡下，發(fā)現(xiàn)鋁線燒損，判

• 芯片失效分析方法：

  芯片失效分析方法： 1.OM 顯微鏡觀測(cè)，外觀分析 2.C-SAM（超聲波掃描顯微鏡） （1）材料內(nèi)部的晶格結(jié)構(gòu)，雜質(zhì)顆粒，夾雜物，沉淀物， （2） 內(nèi)部裂紋。 （3）分層缺陷。（4）空洞，氣泡，空隙等。 3. X－Ray 檢測(cè)IC封裝中的各種缺陷如層剝離、爆裂、空洞以及打線的完整性，PCB制程中可能存在的缺陷如對(duì)齊不良或橋接，開路、短路或不正常連接的缺陷，封裝中的錫球完整性。（這幾種是芯片發(fā)生失

• PCB失效分析

  失效分析就是要分析損壞的產(chǎn)品從而為改進(jìn)設(shè)計(jì)或明確責(zé)任提供素材的工作。但是從行業(yè)來看，目前很多公司特別是中小型公司的失效分析做的并不好。 中國有句俗話叫：“吃一塹，長一智”，《論語》中也有“**過”的說法。其本質(zhì)就是要從失敗中吸取教訓(xùn)避免進(jìn)一步的犯錯(cuò)。 一方面，一些中小型電子產(chǎn)品生產(chǎn)商沒有良好的物料控制體系，不能對(duì)物料進(jìn)行有效的追溯。一旦出了問題，很難查到當(dāng)年的渠道和來源。甚至不能保證物料的真?zhèn)巍］^